超低频应用中伪电阻的机理与实现研究

低功耗、高集成度是当今可穿戴人体生理信号检测电子设备全天候移动应用的必然要求,伪电阻(Pseudo Resistor,PR)以占用集成电路面积小,GΩ级超高阻值等特性在超低频应用中扮演了重要的角色.本文对几种PR结构做了深入的探讨和研究,阐述了线性度提高的两种机制,并利用180nm CMOS工艺对所有结构进行了电路仿真...     

一种-62.3 dBc参考杂散6 GHz低功耗锁相环

采用高匹配电荷泵电路和高精度自动频率校准(AFC)电路,设计了一种低功耗低参考杂散电荷泵锁相环。锁相环包括D触发鉴频鉴相器、5 bit数字可编程调频LC压控振荡器(VCO)、16～400可编程分频器和AFC模块。采用高匹配电荷泵,通过增大电流镜输出阻抗的方法,减少电荷泵充放电失配。同时,AFC电路采用频段预选快速搜索方法,实现了低压控增益LC VCO精确频带锁定,扩展了振荡频率范围,且保持了较低的锁相环输出参考杂散。锁相环基于40 nm CMOS工艺设计,电源电压为1.1 V。仿真结果表明,电压匹配范围为0.19～0.88 V,振荡频率范围为5.9～6.4 GHz,功率小于6.5 mW@6 GHz,最大电流失配小于0.2%@75μA;当输出信号频率为6 GHz时,输出相位噪声为-113.3 dBc/Hz@1 MHz,参考杂散为-62.3 dBc。