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用飞秒激光触发GaAs光电导体产生THz电磁波的研究 总被引：15，自引：0，他引：15
报道了用半绝缘GaAs材料研制的光电导偶极天线在飞秒激光脉冲触发下辐射THz电磁波的实验结果.GaAs光电导偶极芯片的两个欧姆接触电极间隙为3mm,采用Si3N4薄膜绝缘保护,在540V直流偏置下被波长800nm,脉宽14fs,重复频率75MHz,平均功率130mW的飞秒激光脉冲触发时产生THz电磁波.用电光取样测量得到了THz电磁脉冲的时域波形和频谱分布.THz电磁波的辐射峰值位于0.5THz左右,频谱宽度大于2THz,脉冲宽度约为1ps. 相似文献
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Terahertz（THz）电磁辐射是国际上近年来发展的一种新型相干辐射光源，通常可由超短脉冲激光在半导体材料中激发的解态载流子传输过程，非线性光学晶体中的光学整流过程，以及量子阱中的Bloch振荡等过程来产生．THz电磁辐射具有以下非常独特的性质：（1）这是一种频率介于远红外和微波之间的相干电磁辐射，典型的中心频率为1012Hz，即一个THz．（2）单个THz辐射脉冲具有非常大的辐射带宽。其频率带宽与中心频率之比的典型值为△v/v0≈1，甚至大于1；（3）THz辐射的时间波形可用光学手段进行相干测量。如作为探测光源就可以一次得到样… 相似文献
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本实验采用ＴＨＺ波形测量的方法获得了镀金的砷化曾晶体，金属半导体界面两侧费米面的弛豫平衡的时间常数是１２ｕｓ．实验中ＴＨｚ电磁波的发生机制是。飞秒脉冲激光辐照半导体表面产生的瞬间载流子在半导体表面电场中加速，从而产生电磁辐射．该辐射具有皮秒的脉宽，频率在０一几个ＴＨＺ，因此称为ＴＨＺ波．由其发生机制可知，ＴＨＺ辐射的电场强度决定于产生它的电子的运动情形．因此通过对ＴＨＺ辐射波形的研究可以得到样品中电子运动的情况．近年来，ＴＨＺ方法被广泛的应用于半导体和高温超导的研究当中，成为一种行之有效的手段．… 相似文献
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