1.3μm外腔粘接型窄线宽InGaAsP单模半导体激光器

我们采用粘接技术将半导体激光器、自聚焦透镜和平面反射镜三者构成一个整体,作成了性能优异、结构小巧紧凑的外腔半导体激光器,其输出波长为1.3μm,输出功率大于2mW,单模线宽约2MHz,单模稳定时间接近一小时,输出光斑尺寸及光束发散角均较小。该激光器不需要任何机械调整,可以有效地消除机械不稳定性,一经注入适当的工作电流,在无恒温的普通实验室中即可获得较长稳定时间的窄线宽单纵模输出,给使用者带来较大方便。稳定的     

半导体激光器的外色散腔选模和调谐

半导体激光器的选模和调谐是扩大半导体激光器应用范围的重要课题之一.我们开展了半导体激光器外色散腔选模和调谐的实验研究,获得了半导体激光器的单纵模振荡,使输出光束的单色性明显改善,单面输出功率有所增加,并可在一定的波长范围内进行调谐.这样的激光器在光纤通讯、光纤测试及激光光谱学研究等领域都具有实用意义.实验装置如图1所示.由激光器解理面a发出     

外色散腔半导体激光器选模和调谐性能的多模速率方程分析

我们对AlGaAs-GaAs DH半导体激光器(未镀增透膜)的外色散腔纵模选择和调谐性能在实验上系统地进行了研究,并从理论上进行了分析。 对具有外腔反馈的半导体激光器,其稳态多模速率方程组可以写成如下形式:     

半导体激光器外色散腔调谐、选模

用外色散腔对室温下连续工作的GaAs-AlGaAs双异质结条形激光器进行了选模、调谐的实验研究。在工作电流为阈值电流的1.0～1.2倍时,得到线宽不大于0.2埃的单纵模输出。调谐范围为30～50埃。单面输出功率是未选模时的1.5倍以上。同时观察到外色散腔中半导体激光器输出特性的改善:阈值电流降低;单面输出的外微分量子效率增加;单面输出功率和输入电流关系曲线中的扭折向高功率方向移动。     

用激光探针测量半导体器件中的载流子浓度调制效应

本文采用１．３μｍＨｅ－Ｎｅ激光或ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ半导体激光作探针，实时、无损地测量硅半导体器件中的自由载流子浓度的变化．从理论上分析了器件内自由载流子浓度变化引起的折射率改变及由此产生的光相位调制．它适用干硅和砷化镓材料的电子和光电子器件．本方法也显示了在测量集成电路内部有源器件特性方面的潜在应用前景．     

外色散腔半导体激光器选模和调谐性能的多模速率方程分析

利用半导体激光器的外色散腔形式获得了可调谐单纵模运转,线宽小于0.1,调谐范围约110。利用多模速率方程对选模和调谐性能进行了理论分析,计算结果与实验结果基本相符。     

复合双外腔半导体激光器

本文首次提出改进外腔半导体激光器性能必须同时满足两个条件:(1)振荡模要有最大的净增益;(2)振荡模与其相邻纵模间的净增益差足够大。据此理论研制成复合双外腔半导体激光器,首次在无任何反馈控制条件下实现了单模稳定运转时间大于24h、同一单模运转注入电流范围提高二个数量级,输出功率提高一个量级,其它各项性能也均有大幅度提高。     

外色散腔单模可调谐半导体激光器

在专题实验的基础上研制成外色散腔单模可调谐半导体激光器,其波长为0.8μ,线宽小于50 MHz(受仪器分辨率限制),单模稳定时间≥20分钟,输出功率>1 mW(受器件热沉结构的影响),调谐范围>200。     

1．3μm外腔粘接型窄线宽InGaAsP单模半导体激光器

外腔半导体激光器具有一些令人瞩目的优点，其中最突出的是它可以提供线宽很窄的单模激光，而且价格低廉。这一特点暂时还不易被其它形式的半导体激光器（如单模的激光二极管，DFB半导体激光器）所取代，因而还有一定的发展前途，这也是现今世界上有不少国家、大学和研究机构积极从事外腔半导体激光器研制的原因。