改善玻璃钝化硅升压二极管频率特性的试验

一九八三年三、四月份,无锡电视机厂反映,使用我厂生产的玻封升压管,有部份升压管导致整机产生行辐射现象.这以后,北京东风电视机厂也反映这个问题.整机厂曾采用多种方法改进线路,试图用展宽脉冲的持续时间、减慢变化率来抑制高频分量.实践证明,这种措施效果不理想,整机仍然有行辐射现象产生.     

杂质吸收在硅二极管上的应用

彩电国产化,特别是元器件国内配套,已成为急待解决的重要课题.一台彩电需要硅二极管十儿到二十儿支,且参数要求比黑白机要高得多,有些管不但要求反压高,且正向及频率特性要求也很苛刻.如果工艺上不采取改革’措施,是难以制备出符合彩电要求的高档管的,为试制高档硅二极管,我们采用了杂质吸收技术,通过反复实践,取得较好结果.     

FBT高压放电：硅堆动态过载的可靠性机理分析

一、前言 高压放电在FBT(回扫变压器)内以及整机中经常发生,瞬时放电常导致高压硅堆击穿,连续放电则易使FBT失效、整机元器件损坏,严重的甚至造成显象管报废。据统计,整机七成以上故障由FBT引起,而FBT失效的七成为电晕、打火等高压放电。因此,高压放电是影响整机MTBF指标的一大因素。本文主要探讨目前设计比较成熟的彩电用六层平绕FBT在按GB9367—88及更恶劣条件下进行FHV高压放电试验时,硅堆动态承载的定量分析,以及缺陷硅堆可能的失效模式机理分析。     

微波炉加电启动瞬间高压二极管失效的机理分析

笔者以实际工作经验为基础结合专业技术理论知识。阐述了微波炉用高压二极管加电启动瞬间高失效的机理，可作为微波炉和高压二极管设计的重要参考。     

解决高压硅堆生产工艺中硅片扩散弯曲问题的实验结果

硅片扩散弯曲,不仅在用四探针测量硅片参数时易被压碎,或者测量不准确.更重要的是,影响硅整流器件的质量和成品率,特别是对高频高压硅堆的影响更为严重,因硅堆是由10片以上的硅片叠成,往往因为弯曲,导致叠片烧结不牢,切割的硅堆管芯断条报废极为严重,在清洗,腐蚀时又断不少.即使不断的硅堆管芯做成了硅堆,其电参数,特别是动态高温性能很差,使之不少成为次、废品.