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Ⅱ-Ⅵ族宽禁带蓝绿色发光器材料的MBE研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文报道ZnSe基ⅡⅥ族宽带发光材料分子束外延系统的建立、p型掺杂用等离子体活性氮源的研制、两性掺杂的ZnSe材料的生长。实验证明国产MBE设备能够自洽生长优质ZnSe单晶薄膜;用自制的等离子体活性氮源作受主掺杂剂,获得了pZnSe单晶薄膜,经CV测量发现,[Na][Nd]高达~5×1017·cm-3;用国产粉末状ZnCl2源作施主掺杂剂,获得了nZnSe单晶薄膜,Hal测量表明[n]高达~23×1019·cm-3。生长速度均控制在~05μm/h。 相似文献
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等离子体活性氮源的研制 总被引:3,自引:0,他引:3
ZnSe基材料是研制蓝绿色发光器首选材料之一。本文报道一种自己研制的,以石英管为主体结构材料的,可适用于ZnSe基材料分子束外延掺杂的简易等离子体活性氮源。该氮源采用射频激励方式激活氮分子。在适当生长条件,利用装备有该氮源的国产FW-Ⅲ型分子束外延设备,成功地生长出P型ZnSe优质单晶薄膜,SIMS测量表明,薄膜中氮浓度高达~2.3×10^20cm^-3,C-V测量表明,净空穴浓度(Na)-(Nd 相似文献
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