伴有化学反应的三组分体系相分离动力学研究

采用蒙特卡洛方法研究了伴有化学反应A＋B C的三元混合物相分离体系畴的形貌和生长动力学行为。研究给出不同的淬火温度下反应扩散体系形成了的斑图的形貌,并给出在相分离后期嵌段共聚物浓度随着时间演化的标度规律：nC=t-γ。最后讨论化学反应速率对体系中共聚物浓度的影响,中度淬火温度下,在相分离后期,反应速率越小体系中共聚物的浓度相对越高。     

CPLD在数字频率测量中的应用

本文介绍了以CPLD为核心处理芯片的频率测量系统,整个频率测量系统由CPLD和单片机(89C51)构成,CPLD采集被测频率源,再由单片机读取频率值并由液晶同步显示频率和周期.本系统结合了CPLD的高速及单片机(MCU)的运算控制二个特点.     

针阀体喷孔脉冲电流电解去毛刺技术研究

在介绍针阀体喷孔去毛刺工艺方法的基础上,研究了针阀体喷孔脉冲电流电解去毛刺工艺和技术.采用该工艺对针阀体喷孔进行了倒圆实验和电解去毛刺效果流量测定.实验结果表明,经脉冲电流电解去毛刺后的针阀体较传统方法加工的针阀体喷孔流量明显提高,初始间隙较小时喷孔内入口处倒圆半径偏差明显减小.     

一种微秒级脉冲电解加工工程化电源研制

针对针阀体喷孔的去毛刺技术要求,研制了一种以IGBT为开关器件的微秒级脉冲电源。该电源采用直流加斩波输出方案,直流部分采用现有稳压直流电源,设计了该电源斩波部分脉冲发生电路、推动电路、电源主电路和保护电路。使用该电源进行了针阀体电解去毛刺工艺实验,实验数据表明喷孔流量和压力室杂散腐蚀程度达到设计技术要求。     

CPLD在数字频率测量中的应用

本文介绍了以CPLD为核心处理芯片的频率测量系统,整个频率测量系统由CPLD和单片机(89C51)构成,CPLD采集被测频率源,再由单片机读取频率值并由液晶同步显示频率和周期。本系统结合了CPLD的高速及单片机(MCU)的运算控制二个特点。     

PVDF/P（VDF-TrFE）混合薄膜形貌的原子力显微镜研究

利用原子力显微镜研究PVDF/P（VDF-TrFE）混合薄膜的结晶形貌受退火温度的影响,发现随着退火温度的升高,两种成份的结晶情况各异,并受到分子链间的作用而互相影响。α相的PVDF大球晶结构受P（VDF-TrFE）分子链的影响不易转化成β相的小球晶。在P（VDF-TrFE）的熔融温度以上退火后,P（VDF-TrFE）结晶成长纤维状晶体,并随着退火温度的升高而长大。共混薄膜中发生了两种类型的相分离,P（VDF-TrFE）的结晶可以使整个混合薄膜的宏观相容性得到提高,使两种成份的分层现象消失。     

电解电火花复合加工深孔试验研究

概述了难加工材料零件打孔的几种主要工艺方法,提出此类材料小孔、深小孔加工的一种新电解电火花复合加工试验方法.在改造的试验装置上,采用复合型电解液在不锈钢、钛合金试件上进行了小孔、深小孔加工试验.分析了生产率、表面粗糙度和加工精度等工艺效果的成因.结果表明,通过合理进行电解液配制和选择电规准等相关工艺参数,试件的材料去除率达14 mm/min,表面粗糙度值Ra ＜7.9 μm.虽然加工精度低于电火花加工精度,仍验证了该方法用于钛合金试件打孔的有效性.     

TiN层微观结构对CVD TiC-TiCN-TiN多层涂层耐磨性能的影响

通过改变N2/H2体积比,采用化学气相沉积法在TiC-TiCN层表面制备了不同微结构的TiN层。研究了TiN层微结构对TiC-TiCN-TiN多层涂层耐磨性能的影响机制,同时对比研究了国产多层涂层与国外公司同类涂层产品在结构、硬度及耐磨性能方面的不同。结果表明,当N2/H2体积比为1.5∶1时,获得的TiC-TiCN-TiN多层涂层硬度最高,摩擦系数最小,且耐磨性能优于国外公司同类涂层产品。多层涂层的硬度以及摩擦过程中生成氧化层的减摩作用对其耐磨性能有重要影响。     

UNCD薄膜的研究进展与应用

UNCD薄膜系其晶粒尺寸小于5 nm为主要特征高性能金钢石薄膜,有的研究者称为超纳米膜,具有诸多优异的物理和化学性能,在工业应用中得到广泛的青睐。UNCD不仅具备普通金刚石的各项性能,而且因其极小的晶粒尺寸,使得UNCD薄膜表面极其光滑,大大降低了摩擦系数,不需要进行抛光处理就可以直接进行工业应用,从而大大节省时间和成本。本文综述了近年来通过提高形核密度、气体掺杂、调节衬底温度等方法制备出高质量的UNCD膜,指出随着Ar掺入量的增加,二次形核率提高,晶粒尺寸细化。讨论了UNCD膜在MEMS器件、耐磨材料、表面声波和体声波器件以及生物医学应用领域的优势,并介绍了美国阿贡实验室和ADT公司在UNCD膜领域的研究进展。