Bi-CMOS集成技术的研究

最近几年迅速发展的Bi-CMOS技术综合了双极器件和CMOS器件的优点,将双极型晶体管和CMOS器件制作在同一芯片上,因而引起人们的极大关注,认为Bi-CMOS是同时实现高速度、强驱动、高集成及低功耗大规模集成电路最合适的技术,用它来实现高性能专用集成电路系统是一项重要的技术发展方向。     

电路开关速度与输入偏置方式无关的二输入端与非门电路的设计

前言 为了制造高超CMOS逻辑IC,引进微细加工技术、等平面全离子注入技术及减薄氧化膜厚度等变更工艺参数,固然是十必要的。但在电路上下功夫,选择更适合高速的电路形式也是相当重要的。本报告讨论了常规的二输入端与非门电路的两个输入端的开关特性受输入偏置方式的影响而有明显差异的问题,分析了造成差异     

CMOS/SOS技术及其发展动向

SOS技术是改进半导体集成电路隔离工艺,提高电路性能而出现的一种新技术。它从六十年代初期问世以来,由于衬底材料和工艺等方面的原因,经历了十多年的徘徊。但是,SOS结构是半导体集成电路的理想结构。它的各有沅器件完全被兰宝石这样理想的绝缘体所隔离,大大地减少引线之间的寄生电     

SIT、MOS兼容型工艺和运算LSI

在IC,LSI高速器件的领域里曾经是双极型LSI独占的场所,到1970年代后半期,随着微细加工技术的发展,具有高集成度特点的MOSLSI在这个高速领域里也抬头了。然而,微细化技术的进步,双极型LSI也正在稳健地提高。即用电子束曝光和缩小投影曝光方式,即使对于包含外延工序的大直径硅片也能保持高的精度,连同干法刻蚀技术,双极型LSI的性能正在迅速地发展。     

提高VDMOS/npn复合结构击穿特性的平面技术

本文报道了通过衬底材料选取,图形选择、场限制环的设置,场板极的选用,提高VDMOS和VDMOS/npn复合结构击穿电压的方法,获得使VDMOS的击穿电压达到450V,VDMOS/npn复合结构的击穿电压为330V的平面技术.     

MOSLSI中寄生电阻效应的解析

本论文的目的是用简单的解析式表示MOSLSI中内部引线,晶体管源,漏寄生电阻效应,并反映在MOSLSI电路/版图设计中。对于寄生电阻的解析式原来是相当复杂的。只有依靠用运用电路解析程序的电子计算机来计算的。但在本文中把源、漏寄生电阻效应用MOS晶体管的漏电流—漏电压的线性近似,就能简单地表示出来。进一步若假定上述近似在实际的LSI中成立,则由引线电阻所产生的延迟时间,就可用简单的解析式表示。用其结果对于在LSI中经常使用的交叉,得到最佳化的设计指南。源漏寄生电阻效应的解析结果同用MOS晶体管的实验结果相比取得良好的一致性,由引线电阻所产生的延迟时间的解析结果也同用环形振荡器的实验结果取得良好的一致性。从而表明两种解析结果是合适的。     

实用性强的程控闪光电路SE9518

多功能程控闪光专用集成电路SE9518是继SE9201之后的又一种新型电路。它功能全，花样新颖，可广泛用于霓虹灯光、舞厅、洒吧灯光控制。SE9518采用双列直插式18脚封装，各脚功能如图1所示。SE9518可实现8种基本花样：A单点右旋、B单点左旋、C卷窗式、D闪烁加依次灭、E弹性涨缩闪烁、F星星闪烁、G拉幕式、H单点交叉追遂。由花样控制端K0，K1，K2，K3编程控制，可有27种组合，其控制逻辑如真值表所示。应用电路如图2所示。说明：（1）第1块振荡电路产生的时钟从第6脚输出接到下一块电路的振荡公用端（第8脚）。若要扩展3块，则将第2块…     

智能功率集成电路的发展动向

本文概述智能功率集成电路的分类和应用以及涉及到SPIC发展动向中的隔离技术等,并介绍了SPIC中的过流,过热和栅充电泵驱动电路等基本关键技术.     

SIMOX技术及其发展和应用

一、序言 SIMOX技术(Se(?)oration by Implanted oxygem)是日本电信电话公社和武芷野电气通信研究所于1978年首先提出来的。近二、三年来已有非常引人注目地得到发展。用氧离子注入技术在体硅内形成SiO_2层,把它作为绝缘层衬底,直接用其上面的过渡层或者在其上面外延生长硅层来制作MOS,CMOS等有源器件,它兼有体硅和SOS器件的优点,可望在大规模、超大规模集成电路中得到发展。 本文着重介绍SIMOX技术,SIMOX-SiO_2层上的外延生长硅,SIMOX衬底的特性,以及在MOS场效应晶体管,CMOS电路等器件中的应用。