氮气氛下直拉硅中氮含量的红外光谱测定

提出了利用直拉硅中与氮有关的特征红外吸收峰９６３、９９６、１０８１－１及１０２７ｃｍ－１确定直拉硅中氮含量的计算公式，并进行了多种样品实测。该法克服了只用９６３ｃｍ－１峰测定直拉硅中氮使结果偏低的弊病，方法相对偏差为５％～２０％     

硅片的抗弯强度及其与高温抗形变能力的关系

通过实验系统地研究了硅中氧、氮、碳含量和状态以及硅片表面损伤对室温下硅片抗弯强度的影响规律，讨论了室温抗弯强度与高温抗形变能力之间的内在联系，提出了室温抗弯强度大小可以反映硅片高温抗形变能力的观点。     

直拉硅单晶时旋转磁场的获得

一、引言大规模和超大规模集成电路的发展,对硅单晶质量提出了越来越高的要求。直拉硅单晶中的杂质氧,使晶体在生长或器件制造的热处理过程中,产生堆垛层错、位错环和硅氧沉淀等缺陷。另一方面,氧化物沉淀引入的位错对表面沾污有本征吸杂的作用。因此硅中氧浓度是单晶质量的重要标志。一般直拉硅单晶中的氧浓度都超过1×10~(18)原子/厘米~3,而且单晶头部含量高于尾部。纵向     

硅片高温工艺与塑性形变

为减小硅片高温工艺中的形变,通过仿硅器件在１２００℃热处理１．５ｈ高温工艺热处理实验,研究了装片方式、升温速率和急冷温度等工艺条件对硅片弯曲度变化的影响,实验结果表明硅片热处理中塑性形变主要是在急冷过程产生的,快速加热对形变影响不大。急冷温度越高,硅片中心与边缘温差越大,因产生位错和滑移形成的塑性形变就越大,１２００℃急冷的弯曲度变化是７７０℃急冷的４倍,水平装片比竖直装片形变大,紧贴式装片比间隔式容易弯曲。采用降低急冷温度,由１２００℃缓慢降至７７０℃左右再急冷,配合竖直间隔方式装片和容器加盖等方法可减少高温工艺中硅片的形变。     

硅片强度与表面抛光及裂纹的关系

硅器件要求硅片具有一定的机械强度,而硅片强度与表面有关.本文采用Cr_2O_3化学-机械抛光和HNO_3-HF不同配比的化学抛光,用金相显微镜和扫描电镜观测硅片表面,用三点弯法测抗弯强度,研究了硅片表面状况、裂纹与强度的关系     

硅片化学腐蚀及其在电力半导体器件中的应用

按照电化学原理分析硅片化学腐蚀过程,阐述了择优与非择优腐蚀的机理,研究了一套硅片化腐新工艺。这些工艺在电力半导体器件生产中得到了成功的应用。     

圆片冲击法硅片强度测试中简支半径问题的研究

分析了圆片冲击法硅片强度测试中简支半径对动载荷挠度及强度测试值的影响，实验求得直径５０．８ｍｍ硅片抗弯强度测试值的校正系数为０．８。     

氮气氛下直拉硅棒的机械强度分布

用测试抗弯强度的方法测定了氮气氛下直拉硅(NCZ-Si)棒轴向机械强度分布。与红外分析结果比较表明,含氮 CZ-Si 中 N-N 对的浓度对硅棒强度分布起着比间隙氧更重要的作用。碳浓度达2×10~(17)cm(-3)时,对硅棒强度无显著影响。     

锗单晶位错的产生与消除

一、引言锗单晶中的位错对材料的电学性质和器件的参数影响很大。位错使品格畸变,改变了能带位置,影响载流子复合过程。刃位错的悬空键产生受主能级相当于一个半径为3.4×10~(-8)厘米大小的电子陷阱,降低了少数载流子寿命。位错加速锗中杂质的扩散。不均匀位错分布会使器件参数分散,位错堆集会影响P—N结的平整,引起器件局部击穿。     

滚圆对硅单晶机械强度的影响

通过测定滚圆前后硅后强度变化，并结合扫描电镜观察，研究了滚圆在硅片表面造成的损伤及对抗变强度的影响，提出了消除影响使强度恢复的简单方法。