单片UHF RFID阅读器中VCO及其预分频器设计

提出了一种应用于860～960 MHz UHF波段单片射频识别(RFID)阅读器的低相位噪声CMOS压控振荡器(VCO)及其预分频电路.VCO采用LC互补交叉耦合结构,利用对称滤波技术改善相位噪声性能,预分频电路采用注入锁定技术,用环形振荡结构获得了较宽的频率锁定范围.电路采用UMC 0.18 μm CMOS工艺实现,测试结果表明:VCO输出信号频率范围为1.283～2.557 GHz,预分频电路的频率锁定范围为66.35%,输出四相正交信号.芯片面积约为1 mm×1 mm,当PLL输出信号频率为895.5 MHz时,测得其相位噪声为-132.25 dBc/Hz@3 MHz,电源电压3.3 V时,电路消耗总电流为8 mA.     

一种用于单片UHF RFID阅读器中的低相位噪声LC VCO设计

介绍了一种适用于UHF RFID(Radio Frequency Identification)阅读器的低相位噪声压控振荡器(VCO)电路.通过在传统的VCO电路中加入抑制电源噪声的regulator并在共模端加入平衡滤波电路对尾电流源的二次谐波分量进行抑制来降低1/f3区域的相位噪声,同时选取合适的电感值及其Q值使得VCO在1/f2区域也能获得较佳的相位噪声性能.同时,文中给出了本设计中使用的低噪声基准源电路.整个电路采用UMC0.18 μm MM/RF CMOS工艺实现,仿真与测试结果显示所提出的VCO结构和传统VCO相比几乎在所有区域内对相噪声均有5 dB的改善.本设计使用的电源电压为3.3 V,VCO中心频率为1.8 GHz,调谐范围约为11%,频偏1MHz处相位噪声约为-127 dBc/Hz,总电流约为7.2 mA.     

射频识别接收机前端低噪声CMOS全集成频率综合器关键模块设计

为满足射频识别接收机相位噪声性能要求,在分析了频率综合器整体噪声机制的基础上,将偶次谐波抑制电路应用于1.8 GHz压控振荡器设计并采用注入锁定高速与分频器结构,鉴频鉴相器PFD设计改善了相位死区,在整体上改善了频率综合器相位噪声。利用0.25μm 1P6M RFCMOS工艺,完成了频率综合器的完整版图设计。仿真结果表明:VCO调谐范围达到47.2%,电路整体相位噪声达到-128 dBc/Hz@1 MHz,完全满足应用要求。     

高性能多模可编程CMOS输出缓冲器的研究实现

提出了一种应用于专用集成电路(ASIC)和FPGA高速IO接口的通用型数据输出缓冲器(Output Buffer)及其ESD(Electrostatic Discharge)保护电路.电路采用新型三组电源供电模式,通过编程点精确控制输出驱动能力,支持多达16种最常用的数据传输协议,电路采用SMIC 0.18 μm CMOS MM工艺实现.仿真结果表明:output buffer输出信号可满足所有协议的电气要求,支持的所有协议均至少可在250 MHz频率下进行数据传输,传输延迟保持在660 ps~1 180 ps之间.