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本文报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺。发射极尺寸为0.5×5μm2的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到350GHz以及532GHz,击穿电压4.8V。基于该工艺研制了114GHz静态分频器以及170GHz动态分频器两款工艺验证电路,这两款电路的工作频率处于国内领先水平。 相似文献
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报道了用于超高速数字集成电路的0.5μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详细分析了器件CB结电容对影响高速数字应用的影响,其中Ccb/Ic达到0.4 ps/V,揭示其静态分频器具有工作在150 GHz以上的潜力. 相似文献
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