Ti-Ni-Si纳米合金的制备和特性

Ｔｉ（７０）Ｎｉ（２０）Ｓｉ（１０）非晶合会在５００－８００℃范围内经１ｈ退火后。可形成平均晶粒度为８－１２０ｎｍ的纳米合金．Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和透射电镜（ＴＥＭ）的结果表明。不同平均晶粒度的纳米合金样品中，相的组成相同．即Ｔｉ２Ｎｉ和Ｔｉ５Ｓｉ３以及少量的α－Ｔｉ晶体相．显微硬度（ＨＶ）的测量表明，纳米合金样品的显微硬度值比铸态或非晶态样品高一倍左右，但是，随着平均晶粒度的减小，硬度值的变化并不满足线性的Ｈａｌｌ－ｐｅｔｃｈ关系。     

场离子显微镜原子探针及在材料微观结构研究中应用

场离子显微镜(FIM)原子探针(AP)已广泛应用于材料科学及表面物理许多领域。本文简要介绍FIM—AP基本原理和仪器结构及本实验室将FIM—AP应用于材料微观结构研究取得部分结果。FIM将试样放大近二百万倍可直接观察到固体表面单个原子,AP能检测单个原子。仪器是在瑞典查尔摩斯工业大学帮助下与科学院沈阳科仪厂及北京科仪厂共同研制。FIM—AP应用于材料微观结构研究(1)钨晶体表面结构观察:图1a是W(011)为中心极二次对称像,这像反映了W原子在针尖表面上排列,相距3.16A两个W原子分开很清楚,图1b是和立方晶体极射投影图对照并标出了钨场离子像上的主要晶带轴和面指数。(2)掺杂灯丝晶界结构观察:钨丝中掺杂微量K—Si—Al元素可提高灯丝高温蠕变性能,但对掺杂元素引起灯丝结构变化机理并不十分清楚。图2a     

场离子显微镜原子探针样品制备方法的改进

本文介绍了利用控制电解液浮层厚度和使用单脉冲抛光技术制备场离子显微镜—原子探针样品。     

高分辨电子显微像的定量分析与应用II.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析

使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术，对外延生长的ＧａＡｓ／ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析。用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系。使用像点定位及畸变测量的分析方法，获得了晶格畸变位移分布图及畸变沿生长方向的分布曲线，扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩，得到了仅由Ｉｎ元素分布导致的点阵参数变化曲线。由晶格参数与Ｉｎ元素含量的线性对应关系，获得了超晶格中Ｉｎ元素沿生长方向的分布曲线。     

Cu-Ni多层膜纳米压痕下微观变形结构的研究

金属多层膜具有化学、电子、磁学和力学等方面的许多优异性能，目前被广泛用于光学器件、磁记忆介质和作为互连体材料，尤其近年在微电子机械系统领域的应用引起了广泛注意。而纳米压痕技术是近几年发展起来的一项新的力学测试技术，测试精度高，通过测量压头在压入过程中的载荷-位移曲线，可获得材料的硬度和弹性模量等本征力学参量。该技术测试区域小，避免了样品的宏观缺陷对测试结果的影响，     

扫描隧道显微镜功函数信息成像方法

在自行研制的超高真空扫描隧道显微镜基础上,利用信号调制技术,建立了表面功函数信息成像方法,介绍ＳＴＭ功函数信息成像方法的原理,并利用该方法同时获得样品表面同一区域的形貌信息和功函数信息像。结果表明,利用功函数信息成像技术可以实现区分样品表面的元件及其分布。     

高定向石墨表面激光溅射硼及超结构的扫描隧道显微镜观察

利用扫描隧道显微镜直接观察到了在高定向石墨（ＨＯＰＧ）表面激光溅射的赋存状态，分析了ＨＯＰＧ表面亮点和黑洞的形成原因，利用ＸＰＳ分析了ＨＯＰＧ表面硼和碳的键合状态，同是还观察以前未见报道的ＨＯＰＧ表面溅射硼和氧经处理后出现的超结构现象。     

离子剥离逐层分析的计算机模拟

Auger电子能谱分析与惰性气体离子刻蚀技术相配合测量元素的浓度-深度分布曲线,已广泛用于表面研究中。本工作提出了一个描述离子剥离过程中表层浓度与体内浓度和元素剥离系数之间的关系的数学模型。采用一般文章中常用的假定:(1)当离子能量不高时,被溅射原子只来自表面第一层,(2)每种元素的剥离系数在一定的浓度范围内变化不大,近似地看作是常数,(3)在所研究区域内离子的通量     

AZ91D镁合金大气腐蚀初期产物的结构分析

AZ91D镁合金具有良好的铸造性能和力学性能，目前在交通、电子等领域获得了广泛的应用。然而镁合金作为结构材料多工作于大气环境中，由于其在潮湿环境中的热力学不稳定性，导致其在自然环境中的热力学不稳定性，导致其在自然环境中发生严重的腐蚀，从而极大地限制了在上述领域的使用。因此对其大气腐蚀的研究就显得尤为重要，     

硼对炭材料氧化行为的综合效应

综述了硼在炭材料中的抗氧化机理，并阐述了炭材料在氧化过程中的行为。硼对炭材料的氧化反应具有催化作用和保护作用的双重特征。