大功率分布反馈半导体激光器研究进展北大核心

介绍了分布反馈半导体激光器（DFB-LD）的工作原理,分析了不同的光栅阶数及耦合机制对DFB-LD激光输出特性的影响。重点评述了大功率DFB-LD研究发展状况,从结构特性及技术手段等方面详细分析了不同技术方案的优势与不足：大功率二次外延DFB-LD对光栅和有效光场耦合较好,但二次外延对技术控制精度要求极高且会引入缺陷;表面金属光栅边发射DFl3-LD避免了二次外延,但制作金属光栅时会出现欧姆接触电阻大和阈值特性劣化等问题;大功率表面光栅面发射DFB-LD虽然在获得高功率高质量光束方面有很大优势,且避免了二次外延,但存在光栅的表面耦合系数较低等技术难题。最后总结分析大功率DFB-LD技术发展趋势,对其广阔的应用前景进行展望。     

高功率单高阶模倒置表面浮雕结构垂直腔面发射激光器

提出并研究了一种带有环形出光孔的倒置表面浮雕结构垂直腔面发射激光器.该器件最突出的结构特点在于,支持稳定的单高阶横向模式激射.在输入电流为六倍阈值电流时,输出功率高达9.8 m W,边模抑制比将近30 d B.在外界为360 K高温时,输出功率仍可达4 m W.且其远场表现出的高斯光束发散角较小.