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针对无源UHF RFID标签温度测量范围小、功耗等问题,本文提出了一种集成于无源UHF RFID标签的宽温测范围CMOS温度传感器。本文设计采用UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺进行设计,提出一种新温度脉冲转换电路结构产生随温度变化的脉冲,从而实现了宽温度测量。仿真结果表明:当温度范围在-75℃~125℃时,温度脉冲宽度变化近220μs,标签芯片供电电压为1.5V时,室温时新增的温度传感器模块功耗仅为200 nW,温度传感器精度为0.45℃/LSB。测试结果:在-5℃~45℃范围内进行测试,温度传感器精度为0.48℃/LSB,其中在室温25℃左右振荡器频率2.087 MHz,脉冲宽度大约110μs,异步计数器显示为011011000。 相似文献
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This paper presents a millimeter wave (mm-wave) oscillator that generates signal at 36.56 GHz. The ram-wave oscillator is realized in a UMC 0.18 μm CMOS process. The linear superposition (LS) technique breaks through the limit of cut-off frequency (JET), and realizes a much higher oscillation than Jr. Measurement results show that the LS oscillator produces a calibrated 37.17 dBm output power when biased at 1.8 V; the output power of fundamental signal is -10.85 dBm after calibration. The measured phase noise at 1 MHz frequency offset is -112.54 dBc/Hz at the frequency of 9.14 GHz. This circuit can be properly applied to mm-wave communication systems with advantages of low cost and high integration density. 相似文献
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A novel matching method between the power amplifier (PA) and antenna of an active or semi-active RFID tag is presented. A PCB dipole antenna is used as the resonance inductor of a differential power amplifier. The total PA chip area is reduced greatly to only 240 × 70 μm2 in a 0.18 μm CMOS process due to saving two on-chip integrated inductors. Operating in class AB with a 1.8 V supply voltage and 2.45 GHz input signal, the PA shows a measured output power of 8 dBm at the 1 dB compression point. 相似文献
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针对准第四代无线通信技术TD-LTE中2.570~2.620 GHz频段的应用,设计了一款基于IBM SiGe BiCMOS7WL工艺的射频功率放大器。该功率放大器工作于AB类,采用单端结构,由两级共发射极电路级联构成,带有基极镇流电阻,除两个谐振电感采用片外元件外,其他全部元件均片上集成,芯片面积为(1.004×0.736)mm2。测试结果表明,在3.3 V电源电压下,电路总消耗电流为109 mA,放大器的功率增益为16 dB,输出1 dB增益压缩点为15 dBm。该驱动放大器具有良好的输入匹配,工作稳定。 相似文献
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为加强与港澳、东南亚地区和世界各国之间的技术交流、技术转让、技术服务及相应的商品贸易,由中国科技交流中心与广东、广西、四川、云南、贵州、天津、重庆七省市科技交流中心合办的《中国民间技术出口展示洽谈会》于1987年9月16日至20日在香港举行.参加展示的项目有机械、电子、计算机、仪器仪表、化工、医药、农药、轻工、食品、 相似文献
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本文利用分子束外延(MBE)技术能精确控制外延层厚度的特点,与选择性腐蚀技术相结合,实现了纳米级超薄基区宽度.利用集电极电压VCE调制中性基区宽度可以改变基极电阻,从而产生微分负电阻(NDR),根据这一物理机制,设计并研制成功性能优良的8 nm基区n-InGaP/P+-GaAs/n-InGaP负阻双异质结晶体管(NDRDHBT).该器件显示出基极电压VBE调制的"∧"型负阻集电极电流IC-集电极电压VCE特性,电流峰谷比(PVCR)趋于无穷大;表征基极电压调制电流能力的峰值电流跨导ΔIP/ΔVBE高达11.2 ms;击穿电压达到12 V,可用于高频振荡调制和高速数字电路. 相似文献