ZnSe单晶薄膜生长控制和掺杂控制

为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等。ZnSe是制备蓝绿激光器的基础材料,本文报道利用MBE技术对ZnSe材料进行生长控制和掺杂控制的初步研究结果。     

LiF晶体F_2色心可调谐激光器

本文报导以0.53微米激光作为泵浦的LiF:F_2色心可调谐激光器。实验所用的晶体的F_2心浓度约为6.2×10~(17)厘米~(-3),高于已有报导值。0.69微米附近可调谐激光输出线宽为1.5埃,能量转换效率为2.9％。晶体在连续运转6千个脉冲后,才开始出现漂白效应。     

ZnSe:Cl, N单晶薄膜中载流子浓度的 电学法测量和光学法确认

为了证实某一研究结果的正确性,常常需要采用两种以上相互独立的方法对同一物理量进行测量或计算。本文采用新颖的远红外光谱技术和常用的Ｈａｌｌ、Ｃ－Ｖ等电学测量技术同时对ＭＢＥ生长的ＺｎＳｅ：Ｃｌｍ,Ｎ薄膜中的载流子浓度进行评价研究,发现电８学法和光学法测量的结果可以很好地吻合,从而确认了ＺｎＳｅ宽禁带蓝绿色发光材料中较高的掺杂水平。     

p+-ZnSe∶N单晶薄膜的MBE生长与特性研究

研制了石英质射频激励等离子体活性氮源,将此氮源安装到国产FW-Ⅲ型分子束外延设备上,成功地生长了p型ZnSe∶N优质单晶薄膜.SIMS测量表明,薄膜中氮浓度高达～1.5×1020cm-3;PL测量表明,氮在ZnSe中形成了受主能级;C-V测量表明,净空穴浓度[Na]-[Nd]≈5×1017cm-3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求(～4.0×1017cm-3).C-V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证.     

p~ -ZnSe:N单晶薄膜的MBE生长与特性研究

研制了石英质射频激励等离子体活性氮源 ,将此氮源安装到国产 FW- 型分子束外延设备上 ,成功地生长了 p型 Zn Se:N优质单晶薄膜 .SIMS测量表明 ,薄膜中氮浓度高达～ 1.5× 10 2 0 cm- 3;PL 测量表明 ,氮在 Zn Se中形成了受主能级 ;C- V测量表明 ,净空穴浓度 [Na]- [Nd]≈ 5× 10 1 7cm- 3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求 (～ 4.0× 10 1 7cm- 3) .C- V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证 .     

质子交换LiNbO3平板波导及其导波层的色散关系研究

本文实验研究了用于新型光子器件的质子交换ＬｉＮｂＯ３的平板波导,在各种条件下制备了质子交换波导,建立了波导制备交换条件与波导参数之间的联系,获得了导波层的色民得到的结论对波导中非线性光学过程提供了理论基础。     

晶体球中非相位匹配二次谐波产生测量铌酸锂非线性系数

本文利用晶体球中非相位匹配二次谐波产生测量晶体二阶非线性系数的理论分析和实验结果。用 35皮秒脉冲光源泵浦的非相位匹配二次谐波转换效率可达 12 % ,测得的LiNbO3 晶体非线性系数d3 1=- 6 .48± 0 6 pmV-1,d2 2 =2 .2 6± 0 .3pmV-1。     

z-切割铌酸锂质子交换平板波导的退火过程研究

研究了退火质子交换LiNbO3平板波导的制作和表征 ,应用“选择零元法”研究了退火后折射率分布 ,建立了波导参数和制作条件的联系 ,获得了导波层的色散关系 ,所得到的表征结果对退火质子交换波导在光子器件中的应用提供了有用信息     

p＋-ZnSe：N单晶薄膜的MBE生长与特性研究

研制了石英质射频激励等离子体活性氮源,将此氮源安装到国产FW-Ⅲ型分子束外延设备上,成功地生长了p型ZnSe∶N优质单晶薄膜.SIMS测量表明,薄膜中氮浓度高达～1.5×1020cm-3;PL测量表明,氮在ZnSe中形成了受主能级;C-V测量表明,净空穴浓度[Na]-[Nd]≈5×1017cm-3,达到了制备原理性蓝绿色激光二极管的要求(～4.0×1017cm-3).C-V测量的结果同时得到远红外光谱法测量数据的佐证.     

周期性极化准位相匹配铌酸锂波导中二次谐波的产生

报道了基波波长为 130 0nm的准位相匹配铌酸锂质子交换波导倍频器的实验研制 ,在钛扩散周期性畴反转铌酸锂波导中观测到转换效率为 2 2 %的二次谐波的产生