沟道效应及某些应用的研究

本文介绍沟道-背散射分析的实验装置。用沟道-背散射方法进行了辐射损伤测定、表面组分分析、异质外延层的缺陷分析,得到了一些对半导体材料工艺、集成电路研制的有意义的结果。     

用背散射实验技术分析Pt/GaAs接触界面

用背散射实验技术和俄歇电子能谱研究了250-450℃温度范围内 Pt/GaAs的界面性质.样品为在 n-GaAs上溅射 1000A|°的 Pt层.研究结果表明,在 300℃处理 20分钟后,界面产生固相反应.先是Ga原子向Pt扩散并溶于Pt形成固溶体,然后留下的As在界面处生成PtAs_2. 当退火温度高于400℃时,反应终止,生成GaPt和PtAs_2两平衡相,不再出现新相.     

硅酸盐玻璃成分及杂质元素在玻璃中分布的探讨

本文用离子束背散射分析方法,测定了几种硅酸盐玻璃的成分以及杂质元素在玻璃中的分布。(1)给出硅酸盐玻璃所含成分,结果与制备样品时主要元素配比值基本接近。(2)硅酸盐玻璃的主要成分是SiO_2,很易受碱溶液的腐蚀。经过Ba(NO_3)_2熔盐在外加直流电场作用下处理的样品,用背散射测量,结果表明表面层中扩散进相当量的Ba离子,浓度高达5×10~(21)atom/cm~3,在深度大于700A处,仍有2.4×10~(21)atom/cm~3的浓度,因此,在玻璃表面形成大量BaO,提高     

用背散射测量砷注入单晶硅中的浓度分布

将能量为150KeV、剂量为10~(14)～17~(17)/cm~2的砷离子注入(100)P型单晶硅,用～1.8MeV的He~ 束对注入砷的单晶硅进行背散射测量。讨论不同剂量和不同退火条件对砷在硅中浓度分布的影响。结果表明:R_P值随注入剂量的增加而逐渐减少,当剂量>5×10~6离子/cm~2时,变化更为显著。当热退火温度低于950℃时,砷的分布改变不明显,温度>1000℃时,分布曲线便偏离高斯分布。     

GaAs中子嬗变掺杂热退火效应的沟道分析

本文利用1.5MeVHe~+离子的卢瑟福背散射沟道效应技术,直接观察了GaAs中子嬗变掺杂样品的辐射损伤和不同退火条件下晶格损伤的恢复情况,井通过沟道分析的结果与合尔法测定的电学参数的比较,对样品的退火效应进行了研究.     

锑化铟红外探测器二氧化硅钝化膜中氢含量的分析

用氦离子前角反冲技术研究了等离子体增强化学气相淀积工艺制备的红外探测器二氧化硅钝化膜膜层内的氢含量、浓度以及氢分布的深度。结果表明,所测量的氢分布深度与椭偏法所测得膜厚结果是一致的,膜层中氢的含量随淀积时间的增加是非线性的、氢含量与浓度随淀积温度和射频功率密度的增加而减少。实验也表明了膜层的腐蚀速率与氢含量的关系。