用水平汽相输运方法生长CdTe晶体

N.Yellin等采用闭管汽相输运技术获得了组份高度均匀,电阻率高和杂质密度低的晶体。但仍然存在着生长速率慢的弱点,生长的晶粒通常仅有250mm~3,Akutag和Zanio修改了piper-polish技术也仅得到了3cm~3的CdTe晶体。本文把原先自行设计的PbSnTe水平闭管汽相输运连续测速装置应用到CdTe晶体上     

Pb_(1-x)Sn_xTe闭管汽相输运过程的研究

用称量法可以迅速地测出Pb_(1-x)Sn_xTe闭管系统中水平汽相输运速度.研究了残余气体,例如过量的碲、铅及氧与氮的剩余气体对输运速度的影响.表明升华型材料的输运过程在温差小于 30℃时,输运速度没有出现饱和情况.我们建立了升华型物质的输运速度的关系式.充入已知量的氮气,根据输运速度的数据可以算出氮与Pb_(1-x)Sn_xTe的互扩散系数为0.013cm~2/sec.     

Ge衬底上的Ⅱ-Ⅵ族化合物MBE生长研究

本文报道了单晶ZnSe、ZnTe和CdTe薄膜在Ge(100)衬底上的MBE生长,用RHEED观察了其生长规律,并对样品作了X光衍射及SIMS等测试分析。观察到衬底与外延层之间存在晶向偏角。对这一现象进行了理论解释。     

Pb_(1-x)Sn_xTe的液相电外延

用电流控制恒温液相外延生长Pb_(1-x)Sn_xTe对于2小时生长周期和电流密度5～17A/cm~2,生长温度在 450～600℃,得到 8～70μm生长层厚度。实验结果表明 Pb_(1-X)Sn_xTe的电外延能够在PbTe衬底上生长,且合金组份具有好的均匀性;外延层生长速度与电流密度成线性关系;Pb_(1-x)Sn_xTe中Sn的含量x_s随着电流密度的增加略有增加;实验中还发现生长速度随时间的延长而下降,这与H.C.Gatos提出Ga_(1-x)Al_xAs的电外延模型相似;还测定了电外延与温差外延固液线;对减少外延过程中产生回熔现象作了一些改进工作。