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针对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在微波频率的应用中的射频过驱动导致高栅电流密度现象,设计了ＴｉＡｌ栅和ＴｉＰｔＡｕ栅ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的高温正向大电流试验,通过对试验数据和试验样品的扫描电镜静态电压衬度像以及试验中的失效样品进行分析,确定了栅寄生并联电阻的经是导致器件的跨导ｇｍ、栅反向漏电流Ｉｓ、夹断电压Ｖｐ等特性退化,甚至导致器件烧毁失效的主要原因。 相似文献
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国内外电子元器件失效分析新技术及其采用的仪器设备 总被引：2，自引：2，他引：0
费庆宇 《电子产品可靠性与环境试验》1995,(3):57-59
1 引言 电子元器件的失效分析技术,由于集成电路的产生和发展,发生了重大的变革。 从80年代初VLSI出现,至今线宽已减到亚微米数量级并有可能继续减小。由于每芯片元件数的急剧增加,线宽和元件尺寸的大幅度减小,主要失效机理也发生了根本性的变化。分立晶体管和中小规模集成电路的主要失效机理为:引线键合缺陷、封装缺陷、钠离子沾污、氧化层针孔和金属半导体接触退化等,而大规模和超大规模集成电路的主要失效机理为:金属化引线电迁移、介质击穿、热载流子注入、ESD损伤和软失效等。 相似文献
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运用双指数函数模型方法分析了影响 MESFET的 Ti Pt Au-Ga As肖特基势垒结特性的各种因素及各因素间的关系 ,编制了 MESFET肖特基势垒结结参数提取和 I-V曲线拟合软件 ,实现了通过栅源正向 I-V实验数据提取反映肖特基势垒结特性的六个结参数和得到相应结参数下的理论数据 ,与实验数据吻合良好。分析了影响肖特基势垒结 I-V曲线分布的因素 ,提出了进行器件特性、参数稳定性与可靠性研究和定量分析 MESFET肖特基势垒结质量的新方法 相似文献
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费庆宇 《电子产品可靠性与环境试验》2005,23(Z1):60-64
根据近年来的实践,介绍了亚微米/深亚微米多层布线结构的VLSI的失效分析的关键技术和加快失效分析程序的方法.包括先进的芯片剥层技术和局部剖切面技术、以失效分析为目的的电测试技术和故障定位技术及其简化方法.通过一些失效分析实例说明了研究上述关键技术的有效性. 相似文献
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集成电路失效分析新技术 总被引：3，自引：3，他引：0
费庆宇 《电子产品可靠性与环境试验》2005,23(4):1-5
通过实例综述了目前国内集成电路失效分析技术的现状和发展方向。包括：无损失效分析技术、信号寻迹技术、二次效应技术、样品制备技术和背面失效定位技术,为进一步开展这方面的工作提供参考。 相似文献
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高温存储试验后某种ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的栅－漏极正向和反向漏电流增大。为分析失效机理,测定了试验前后栅－漏极低电压正向电流随温度的变化,定性估计了试验前后复合－产生中心浓度的变化,确定肖待基势垒触有源层的复合－产生中心浓度的增加是两种漏电流增大的原因,为高温下ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的肖特基势垒接触存在栅金属下沉和扩散提供了证据． 相似文献
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运用双指数函数模型方法分析了影响GaAsMESFET肖特基势垒结特性的各种因素 ,编制了结参数提取和I -V曲线拟合软件 ,实现了通过栅源正向I-V实验数据提取反映肖特基势垒结特性的 6个结参数 ,其结果与实验数据吻合得很好。并对TiAl栅和TiPtAu栅GaAsMESFET进行了高温储存试验前后的结参数对比分析和深能级瞬态谱 (DLTS)验证分析 ,证明这种结参数表征方法是进行器件特性、参数的稳定性与退化和肖特基势垒结质量研究的一种新的实用可行的分析手段。 相似文献
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费庆宇 《电子产品可靠性与环境试验》1998,(1):17-21
本文叙述了反映砷化镓地导体场效应管接触退化的结构敏感参数的检测技术，并通过实例说明如何根据结构敏感参数的变化对砷化镓金属半导体场效应管进行了失效定位和失效机理分析。 相似文献
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GaAs MESFET栅极漏电流退化机理分析 总被引：2，自引：2，他引：0
高温存储试验后某种ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的栅－漏极正向和反向漏电流增大。为分析失效机理,测定了试验前后栅－漏极低压正向电流随温度的变化,定性估计了试验前后复合－产生中心浓度的变化,确定肖特基势垒接触有源层的复合－产生中心浓度增加是两种漏电流增大的原因,为高温下ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的肖特基势垒接触存在栅金属下沉和扩散提供了证据。 相似文献