吸附在CdS,ZnS两种超微粒上的两亲性卟啉光物理性质的研究

研究了ＣｄＳ、ＺｎＳ两种超微粒对两亲性卟啉５,１０,１５,２０－四－（４－Ｎ－十六烷基吡啶基）卟啉溴化物（ＴＣ１６ＰｙＰ（４））的光物理性质（吸收光谱,荧光光谱,荧光寿命）的影响．结果表明：在ＴＣ１６ＰｙＰ（４）的甲醇溶液中加入ＣｄＳ、ＺｎＳ两种胶体超微粒后,ＴＣ１６ＰｙＰ（４）吸附在胶体超微粒表面上,其吸收光谱和荧光光谱发生红移;其荧光明显地被猝灭．这些变化与卟啉在两种纳米粒子表面形成复合物有关,荧光猝灭过程以静态猝灭为主．在５×１０－６ｍｏｌ／Ｌ的ＴＣ１６ＰｙＰ（４）甲醇溶液中分别加入６．８×１０－４ｍｏｌ／Ｌ、８．１×１０－４ｍｏｌ／Ｌ的ＣｄＳ、ＺｎＳ两种超微粒后,其荧光猝灭效率都达到９０％以上．通过荧光猝灭曲线计算得ＴＣ１６ＰｙＰ（４）与ＣｄＳ、ＺｎＳ两种超微粒之间表观结合常数分别为１．４２×１０３（ｍｏｌ／Ｌ）－１、１．０７×１０３（ｍｏｌ／Ｌ）－１．     

蒽醌,甲基紫精,N,N—二乙基苯胺与金丝桃蒽酮素光致电子转移 …

金丝桃蒽酮素（ＨＹＰ）是有多个羟基的Ｂｅｉ醌类衍生物。在极性溶剂乙腈中,电子给体Ｎ,Ｎ－二乙基苯胺和电子受体甲紫精、蒽醌均能有效猝灭其荧光。说明它既具有酚羟基的给电子性能,又有醌类化合物的受电子性能。ＨＹＰ与平面构型的蒽醌可能形成基态复合物,以不同的方式与其发生光致相互作用。     

基于超材料的双频吸波器设计研究

设计了一种基于超材料的双频吸波器,由介质基板和上下两层金属组成。介质基板采用厚度为0.3 mm的高频PCB(印刷电路板):Rogers RT5880(相对介电常数εr=2.2,损耗角正切tanδ=0.0009),金属层厚度0.017 mm,材质铜(电导率σ=5.8×107s/m)。顶层金属为超材料单元胞,由开口金属方环结合十字缝隙组成,底层为全覆盖金属底板。利用HFSS软件进行了电磁仿真,在超材料结构表面施加垂直入射正弦平面波激励。仿真结果表明,其对垂直入射的6.2GHz、9.9 GHz的平面电磁波吸收率分别为80.07%和98.27%。该吸波器可作为基于PCB芯片间无线互连系统的吸波层,防止电磁辐射。     

5,10,15,20—四—（4—N,N,N—二甲基二六烷基氨基苯基）卟啉LB …

研究了两亲性卟啉５,１０,１５,２０－四－（４－Ｎ,Ｎ,Ｎ－二甲基二六烷基氨基苯基）卟啉（ＴＤＭＣ１６ＰＰ）在气－液界面上的成膜性能,制备了其多层ＬＢ膜、用ＵＶ－Ｖｉｓ吸收光谱,荧光光谱、偏振ＵＶ－Ｖｉｓ吸收光谱和小角Ｘ射线衍射对ＬＢ膜进行了测试表征,结果表明：两亲性卟啉ＴＤＭＣ１６ＰＰ具有良好的成膜性能,其ＬＢ膜性质稳定,有较好的结构均匀性和周期性,在ＬＢ膜内,脂肪链并不是直立的,卟啉大环平面与     

一种基于超材料的极化无关超宽带吸波器

提出了一种新的基于氮化钽金属膜和多孔泡沫介质的具有超宽带吸收特性的超材料吸波器.吸收率大于80％的频段为15.5～47.2 GHz(在18.3 GHz,达到最大吸收率99.89％),相对带宽约为101％,完全覆盖了K波段、Ka波段,部分覆盖了U波段.对于斜入射的横电波、横磁波具有较宽角度的吸波性能.由于吸波单元的金属图案设计为5个同心圆环结构,具有全向旋转对称性,因而是极化无关的.该吸波器结构简单.容易制作,在电磁隐身、电磁兼容等领域具有重要应用价值.     

基于人工磁导体的芯片内/芯片间无线互连单极子天线传输特性研究

提出了一种新的用于芯片内/芯片间无线通信系统中的基于人工磁导体（Artificial Magnetic Conductor,AMC）结构的单极子管脚天线阵列模型.印刷电路板（Printed Circuit Board,PCB）采用厚度3mm的FR4介质,形状为边长50mm正方形.4个单极子天线分布在PCB基板中心15mm×15mm的正方形各顶点上,代表4个芯片的4个管脚.天线为铜材质,长度2.6mm,直径1.5mm.在PCB介质中嵌入了一个周期性人工磁导体铜质平面,4个单极子天线形成一个4端口网络.在仿真基础上,进了实物加工测试.实测结果表明,具有AMC的天线阵列回波损耗（S₁₁）-10dB频带为13.02GHz~15.73GHz;在14.22GHz处,S₁₁的幅度达到最小值-27.25dB,S₂₁、S₃₁、S₄₁分别为-26.26dB、-19.23dB、-21.14dB.与不含AMC结构的天线阵列相比,S参数得到了有效改善,其中S₁₁改善了约3.63dB,S₂₁、S₃₁、S₄₁分别提高了2.05dB、7.21dB、5.28dB.验证了在PCB介质中嵌入AMC结构,可以有效提高单极子天线间的电压传输系数,增加信号的功率传输增益.