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1.
晶体硅太阳电池主栅与焊带之间的连接性能直接影响光伏组件的光电转化效率和使用寿命。研究了不同焊接温度和时间对焊接质量的影响,结果表明,焊接温度380℃、焊接时间3 s时,焊接后电池主栅与焊带的连接性能最佳。
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2.
氮化硅薄膜作为传统的晶体硅太阳电池钝化减反膜,其性能的变化直接影响电池的转化效率。通过改变管式PECVD的射频功率,制备了不同膜厚和折射率的氮化硅薄膜,并分别进行了薄膜致密性以及硅片镀膜后少子寿命的测试。实验及测试结果表明,改变PECVD的射频功率对氮化硅薄膜的沉积速率及其薄膜的性能有重要影响。
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3.
将AAO模板分别在体积比为1:9(约15%(质量分数))的H_3PO_4溶液和10%(质量分数)的NaOH溶液中进行蚀刻处理,结果显示,AAO模板经过一个扩孔过程,最终孔间壁较薄部分被彻底蚀刻掉,孔间壁较厚部分留下形成氧化铝纳米线状结构.在2种蚀刻溶液中.NaOH溶液对模板的蚀刻比H_3PO_4溶液的快.这些结果对于AAO扩孔、氧化铝纳米结构的合成以及模板的去除具有一定的指导意义.
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