热释电探测器与CCD混和焦平面:直接电荷注入的分析和设计

近来注意力已集中到大热释电阵列的固体读出问题,特别是集中到两维热释电阵列与硅电荷耦合器件(CCD)的接口问题。本文给出了电热接口的理论分析,确定一种适宜于设计的临界设计参量并推导这一设计的信号和噪声性能。预料噪声等效温度差(NETD)在0.5℃范围内。对常规CCD作了实验测量来证实本文的分析,     

表面沟道电荷耦合器件的转移失效率与胖零作用的分析

本文分析了表面电荷耦合器件的转移失效率与界面态的关系,讨论了胖零作用的分析模型及p相器件转移失效率的解析式。     

梳状栅两相CCD图象传感器

本文分析了梳状栅 CCD 的工作原理,给出了计算机分析结果,报导了在高电阻率衬底上制作的 n 沟道 CCD 图象传感器。梳状栅 CCD 所使用的窄栅为3μm,栅间隙处注入了1×10~(13)/cm~2的硼离子。无胖零条件下,电注入测试获得的转移效率η≥99.9%。     

128光敏单元线型电荷耦合图像传感器

巳制成一种三相多晶硅栅结构的线型电荷耦合摄像器,该固体摄像器具有128光敏单元。图像信息采用双信道传输,片上放大器采用 p 沟道硅栅自对准 MOS管。在100千赫的驱动频率下测得的电注入转移效率达到99.994％。本器件的制作采用了较先进的工艺步骤。     

利用电荷耦合概念的成象阵列

一、引言大约在十年以前,摄取光学图象的电子器件是用靠电子束扫描来读出信号的真空摄象管。这种摄象管的靶面通常是用一层光电导蒸发薄膜,在后来的设计中,就采用由光束扫描的反偏置 p—n 结阵列的硅片。在六十年代期间,薄膜晶体管工艺的实用性促进了固体阵列的发展。阵列中各个光电导单元,经过与这些单元相连接的 X—Y(水平与垂直)连线读出(Weimer 等人,1969年)并被沿阵列边缘薄膜移位寄存器产生的电压依次驱动。图1表示这种阵列的配置。大约在同一期间,其他研究人员(Schuster 和 Strull,1966年)论证了用     

电荷耦合器件

一、引言 电荷耦合器件简称 CCD。首次发表于1970年3月,发明人是美国贝尔电话实验室的 W.S.Boyle 和 G.E.Smith。CCD 的出现是70年代电子学的一项重大进展,其工作原理和概念完全不同于过去建立在电压和电流调制理论上的所有有源器件。因此,有人认为它是电子学的第五代,即属于“分子电子学”领域的功能器件。正因为如此,它一出现就引起世界各主要国家电子科学界的普遍重视,短短几年内 CCD 便从实验室阶段进入了定型生产,并在具体应用中得到了突飞猛进的发展。用途主要有三个方面:成象、存储、模拟信号处理。由于