热处理中As压对半绝缘GaAs缺陷的影响

在 95 0°C和 1 1 2 0°C温度下 ,对非掺杂半绝缘 LECGa As进行了不同 As气压条件下的热处理 ,热处理的时间为 2～ 1 4小时。发现不同 As压条件下的热处理可以改变 Ga As晶片的化学配比 ,并导致本征缺陷和电参数的相应变化。在 95 0°C和低 As气压条件下进行 1 4小时热处理 ,可在样品体内 (表面 1 5 0 μm以下 )引入一种本征受主缺陷 ,使电阻率较热处理前增加约 5 0 % ,霍尔迁移率下降 70 %。这种本征受主缺陷的产生是由于热处理过程中样品内发生了 As间隙原子的外扩散。提高热处理过程中的 As气压可以抑制这种本征受主缺陷的产生。真空条件下在 1 1 2 0°C热处理 2～ 8小时并快速冷却后 ,样品中的主要施主缺陷 EL2浓度约下降一个数量级 ,提高热处理过程中的 As气压可以抑制 EL2浓度下降。这种抑制作用是由于在高温、高 As气压条件下 ,发生了间隙原子向样品内部的扩散     

LEC技术生长3inch掺Si GaAs单晶的研究

采用高压ＬＥＣ工艺生长３ｉｎｃｋ掺Ｓｉ ＧａＡｓ单晶,掺杂浓度大于１＊１０＾１８／ｃｍ＾３,晶体位错密度小于１＊１０＾４／ｃｍ＾２。实验发现,采用ＰＢＮ坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂,固液交界面处均会产生浮渣,造成无法引晶。而实际掺杂量应为理论计算值的４倍以上。     

非掺半绝缘LEC-GaAs晶片热处理工艺研究

为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片．有必要降低微缺陷密度，开展了晶片热处理工艺的研究．确定了晶片热处理的温度、时间、降温建率等一系列工艺参数，证实丁采用此项工艺能降低LEG-GaAs晶片的砷沉淀密度，郎AB-EPD，同时也保证了晶片的电学参数不受影响。通过对晶片热处理工艺过程和结果进行分析．给出了晶片热处理工艺理论模型的解释。     

PVT法CdS单晶生长

Based on the physical vapor transport （PVT） method, the growth of large-size CdS crystals inside a vertical semi-closed tube is studied. Firstly, in order to ensure 1D diffusion-advection transport, multi-thin tubes are used in the growth tube. The XRD spectra of the CdS crystal grown in this configuration indicates that the crystal quality has clearly been improved, where the FWHM is 58.5 arcsec. Secondly, theoretical and experimental growth rates under different total pressures are compared; the results show that the experiential growth rate equation is valid for our semi-tube growth, and it could be used to estimate the growth rate and maximum growth time under different total pressures.     

蓝宝石衬底上HVPE-GaN表面形貌研究

通过研究蓝宝石衬底上HVPE-GaN的表面形貌,指导HVPE-GaN工艺.工艺是在自制的立式HVPE设备上进行的,通过显微镜观察了各种不同工艺条件下的GaN表面形貌.发现不采用成核层直接生长的GaN表面粗糙为多晶,而采用低温成核层所得到的GaN表面随着Ⅴ/Ⅲ比由大到小,从包状表面向坑状表面过渡,通过选择合适的Ⅴ/Ⅲ,可以得到表面光滑、无色透明的GaN.其XRD摇摆曲线半高宽为450 arcs,表面粗糙度为0.9 mm.     

SI-GaAs材料的电学补偿

研究了ＨＰＬＥＣ工艺生长半绝缘砷化镓单晶过程中,熔体的化学剂量比对晶体深施主缺陷能级、浅受主碳的浓度以及晶体电学性能的影响．由Ｎ型半绝缘晶体的补偿机理对实验现象进行了解释,给出了既能保证晶体电学性能又可以使缺陷浓度较低的最佳熔体剂量比．并将近本征半导体的物理模型推广至半绝缘砷化镓单晶,得到了较理想的电阻率范围．     

LEC-GaAs晶体中残留杂质碳和硼的控制

在非掺杂LEC(liquid encapsulated Czochralski)半绝缘GaAs晶体中碳和硼是主要的残留杂质,这两种杂质影响衬底的半绝缘性能和制造的器件性能.在分析GaAs中碳、硼杂质结合和分离机理基础上,采取真空烘烧、降低氧化硼温度、控制氧化硼水含量和在富砷熔体中生长晶体等措施,达到了对GaAs晶体中残留杂质硼和碳的控制.