运用数理统计方法提高单体和橡胶质量

兰化公司合成橡胶厂自1979年以来,运用数理统计方法,分析和确定影响单体和橡胶质量的主要因素,抓住要害,组织攻关,截至目前已经取得六项成果,显著地提高了单体和橡胶质量。 降低了抽提法丁二烯中丙炔含量 通过综合分析,认为脱丙炔塔提馏段塔板数不够     

一种快速瞬态响应无电容型LDO的设计

基于标准0.35 μm CMOS工艺,提出一种快速瞬态响应的高稳定性LDO,其中包括带瞬态增强的类密勒补偿电路。带瞬态增强的类密勒补偿方式具有补偿方便、功耗较低等优点。根据该结论,使用带瞬态增强的类密勒补偿电路可以实现LDO的快速瞬态响应和宽负载宽电压下的环路稳定。采用Cadence EDA工具Spectre进行仿真,结果表明:在整个电压和负载变化范围内,环路增益至少为60 dB,相位裕度至少为75.8°,环路稳定;负载从10 μA跳变至200 mA(tr=1 μs)时,输出上冲/下冲电压小于100 mV,建立时间为1.4 μs;电源电压抑制比(PSRR)约为70 dB@1 kHz;负载调整率为7.75‰,线性调整率为0.7‰,静态功耗约为60 μA。     

一种电子系统认证芯片的电源规划

为了对所开发的电子产品进行保护,采用ASIC的方法设计基于硬加密技术的电子系统认证芯片。在后端物理设计中,为了使最终的芯片实现面积优化且满足功耗、时序等要求,采用预设计的方法对芯片进行功耗预估与布线拥塞分析。根据分析结果提高了芯片利用率,并针对预设计中存在的电压降（IR Drop）违规进行了详细的电源规划．包括全局电源网络的连接、电源环和电源条的设计．最终满足了功耗要求,实现了时序收敛以及面积优化。     

一种带曲率补偿、工作电压1.2 V、可调带隙基准电压电路

在分析常规带隙基准电路的基础上,设计了一种带曲率补偿可调节的带隙基准电压电路,并且具有良好的温度系数。电路设计和仿真工具使用Cadence的Spectre。采用SMIC标准0.25μmCMOS工艺。电路中包含的运放为两级放大电路,开环增益为85dB。带隙基准电压电路采用并联电阻的简单电路实现了有效的曲率补偿,在2.5V工作电压下,-25~125℃,TC=3.10ppm/℃,功耗为0.859mW。电路也可以在1.2V电压下工作,-25~125℃,TC=5.34ppm/℃,功耗为0.36mW。     

基于USB接口的电化学沉积仪器数据采集系统的研究

数据采集系统是试验仪器的重要组成部分.介绍电化学沉积试验仪器的原理及其数据采集系统部分的设计.该采集系统中采用AVR单片机AT90USB1287处理器实现与终端PC的数据通信.USB外设把采集到的数据信号发往主机,从而在主机上实现了数据图像的实时显示.实验结果表明该USB接口的数据采集系统数据传输速率快、性能稳定.     

一种静态图像的采集传输系统

为实现低成本远程图像监控,文章设计了一套基于ZigBee和GPRS技术的远程图像采集传输系统.以CC2430为节点控制摄像头采集图像数据,本地通信时,图像数据通过ZigBee协调器直接和服务器通信;远程通信时,协调器将处理好的数据通过GPRS技术传到监控中心以实现图像数据的保存、读取和显示等目的.ZigBee无线传感网络节点间采用网状网络的自组网方式,通过修改协议栈的缓冲机制和改变串口波特率提高数据的传输效率.实验结果表明该系统能够很好地实现本地和远程静态图像的采集与快速传输,具有广泛的应用前景.     

基于ZigBee的楼宇安防报警系统的设计与实现

为了实现对楼宇安全的实时监测,系统控制器采用高性能低功耗的CC2430单片机为核心,通过多种传感器对室内环境参量进行实时的数据采集.若发生异常信息,先进行本地报警,同时ZigBee无线网络将报警信息发送到保安室控制中心的汇聚节点,通知保安前去处理,最后控制中心通过GSM控制模块以短信息的形式通知户主,从而实现对楼宇安全的实时数据监控和报警集中管理.实验结果表明,系统能够可靠完成实时数据采集,并且能够精确的完成报警功能,提高了系统有效性.     

两天线STBC-PI-DCSK混沌置换索引调制技术

空时块码(STBC)和宽带置换索引差分混沌移位键控(PI-DCSK)调制都是可以减轻多径衰落影响的技术,通过将STBC应用在混沌通信中,提出了一种新的多元置换索引差分混沌移位键控STBC-PI-DCSK方案,结合了STBC和置换索引混沌调制PI-DCSK的优点。由于不同混沌信号之间的相关性非常低,该方案可以显著抑制发射天线间的干扰,以恢复所需的信息并实现完整的分集增益。仿真结果表明,在误码率BER为10^(-4)时,STBC-PI-DCSK方案比单输入单输出(SISO)-PI-DCSK误码率性能优异约5 dB。更重要的是,该方案保持了与SISO-PI-DCSK方案相似的收发器成本。因此,该方案是无线局域网(WLAN)应用的一种具有重大价值的替代方案。     

硫化温度对Sn_xS_y薄膜光电性能的影响

用真空热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层Sn薄膜,分别在硫化温度为210,240和270℃的条件下硫化45min。研究了硫化温度对薄膜样品光学和电学性能的影响。结果显示:随着硫化温度的升高,其电阻率减小;但薄膜导电类型不受硫化温度的影响,都为p型。当硫化温度为240℃时,薄膜为斜方SnS多晶薄膜,沿{111}方向优先生长,其均匀性和致密性以及对基片的附着力都较好,薄膜粒径为200～800nm,薄膜的直接能带间隙为1.46eV,电阻率为25.54Ω·cm。