半导体激光器的高频调制光相位不均匀效应

从理论上分析了半导体激光器的调制光相位不均匀效应(PIE)的物理机制及其与波导机制、结构、材料参数和工作条件等的关系.指出了克服PIE的可能途径.     

Pd/Sb(Mn)薄膜的光学性质研究

本文系统地研究了用固相反应再生长法在Ｐ型ＧａＡｓ衬底上制备的Ｐｄ／Ｓｂ（Ｍｎ）薄膜的光学性质．通过对不同薄膜厚度、材料组分、退火温度和时间下的反射与透射率谱的研究表明,在近红外区存在一个较强的反射峰;当薄膜厚度为５０ｎｍ左右,退火温度在３００℃到３５０℃,钯与锑原子比为１∶１时,可以得到较大的反射和一定的透射,有可能用作垂直腔面发射半导体激光器的Ｐ型边谐振腔镜兼注入电极．     

梯形截面掩埋结构垂直腔面发射半导体激光器的横模控制

本文采用求解光场方程，载流子扩散方程和模式耦合方程自洽解的方法研究了具有梯形截面掩埋结构垂直腔面发射半导体激光器的横模控制．计算了掩埋限制区的倾角以及激光器有源区半径等对基模和一阶模的辐射损耗的影响．结果表明，在这种结构的半导体激光器中，一阶模的辐射损耗总比基模大，因而可以很好地抑制高阶横模．增大限制区的倾角，虽然有利于实现单基模工作，但是因为基模的辐射损耗也随之增大，从而激光器的阈值电流也相应增大．对于一定的有源区半径，我们找到了不同限制区倾角时单基横模工作的注入电流区域．从而可以确定在特定的注入电流范     

平面微腔半导体激光器的横模控制

腔的维度只有一个波长量级的微腔半导体激光器的研究是近年来激光物理学、量子光学以及光电子学领域非常活跃的研究课题。理论预言，由于腔量子电动力学性质的影响，其自发发射效率增强，因而有可能实现无阈值工作，其高频调制带宽可能高过100GHz．到目前为止，对于微腔半导体激光器研究最多的是由两组多层介质膜组成的一个波长间隔的法布里-珀罗腔结构的垂直腔面发射半导体激光器。近年来对这种激光器的研究取得了很大的进展．然而仍存在的一个很大的问题是在注入电流比较大时，激光器会输出高阶横模。本文从实验与理论两方面研究了其高阶…     

半导体激光器调制相位不均匀效应的实验研究

对于条形半导体激光器在不同偏置电流、调制频率的工作条件下,调制相位不均匀效应进行了实验研究,并与1.3μm、BH半导体激光器的调制相位不均匀性进行了比较.实验结果与理论计算一致.     

垂直腔面发射半导体激光器的电、热和光波导特性

本文采用求光场方程、载流子扩散方程、热导方程以及泊松方程自洽解的方法,研究了垂直腔面发射半导体激光器的电、热和光波导特性．计算结果表明,出射窗口半径和限制区的深度、厚度以及半径是影响其注入电流和电压分布的主要因素．在不同的深度,电流和电压的分布是不同的．因而电流的分布不是一个固定的模式．对于较大出射窗口的垂直腔面发射半导体激光器,有源区的电流密度分布不均匀是引起高阶横模的主要原因．限制区的位置对有源区中电流的扩展有很大的影响     

半导体激光器阈值电流的精确测量

一、引言阈值电流是半导体激光器的重要参数之一。通常用测量半导体激光器的输出光功率——电流(PI)特性曲线、观察远场或近场图样的变化以及光谱随电流的变化等来确定阈值,但误差较大。本文用测量半导体激光器调制光信号的二次谐波来确定阈值电流。理论和实验都表明用谐波测量法测定半     

微腔面发射半导体激光器的像散因子

微腔面发射半导体激光器的像散因子赵一广，张宇生，焦鹏飞，黄显玲，陈娓兮（北京大学物理系北京１００８７１）林世呜（中国科学院半导体所北京１０００８３）微腔半导体激光器的自发发射因子是当前非常热门的研究课题。理论预言，在微腔半导体激光器中自发发射因子可能...     

条形DH半导体激光器的自发发射因子

本文从理论上和实验上系统地研究了具有非自建增益波导的条形半导体激光器自发发射因子及其象散因子与波导尺寸、偏置电流和不同纵模等的关系.发现自发发射因子随电流变化并不是一常数,它在阈值电流附近有突变.采用自洽决定波导结构的方法得出增益波导的象散因子K只比折射率波导的K大几倍.指出从与实际不太符合的固定的复折射率分布模型出发是造成K大达两个量级的原因,并判明了目前尚有争论的两种象散因子表达式的正误.