影响集成电路管芯成品率的诸工艺因素(二)

上文中我们就对集成电路管芯成品率影响较大的光刻质量,版面设计等六个工艺因素进行了分析。现在我们再从工艺程序等四个方面对管芯成品率的影响作一讨论。 一、工艺程序的设置对成品率的重要影响 使用怎样的工艺程序(包括规范和条件)来完成电路管芯的制作,对成品率的影响是巨大的。例如,对于TTL电路,我们可以对比下边四种程序的安排,就可看出问题的     

陶瓷片状磷扩散源简介

一、液态三氯氧磷和陶瓷片状磷源比较 三氯氧磷在600℃以上将发生如下反应 生成的五氯化磷和氧气与硅在高温下生成二氧化硅和磷原子。 从上面反应可以看出,如果三氯氧磷热分解时,没有外来的氧参与,则分解是不充分的,生成的五氯化磷是不易分解的,并对硅有腐蚀作用,破坏硅的表面状态。但在有外来氧气存在的情况下,五氯化磷会进一步分解成五氧化二磷并放出氯气。     

版面质量和版面设计对电路成品率的影响

对电路生产来说,不能单凭工艺手段来保证成品率和参数水平,我们认为光刻版的质量好坏、设计的合理与否也是左右这两方面的重要因素。一个版面设计合理图形完好的光刻版会大幅度地提高管芯成品率和高档电路比例。     

影响集成电路芯片成品率的诸工艺因素(一)

提高芯片成品率是目前集成电路生产中一个广泛关心的重要课题。各个厂家都作了大量的工作,积累了不少的宝贵经验。我们对广大工人和技术人员长期实践中积累的丰富经验进行了一定的调查研究,在总结我们实践的基础上,本文想就影响电路芯片成品率的各种工艺因素做一分析讨论,以期引起对这个问题更广泛的研究与重视。     

提高3DK4大电流性能的点滴体会

我们认为3DK4管大电流性能主要决定于几何结构设计、材料制备和一些主要工艺的选取(包括工艺参数的选择)。 一、几何结构设计 在3DK4的结构上没有什么奥妙的地方,主要一点是要有一定的电流容量,并有相当的余量。我们采用了几种结构图形: 1) 三条发射极,每条尺寸为30×150微米~2; 2) 五条发射极,每条尺寸为30×150微米~2; 3) 七条发射极,每条尺寸为30×200微米~2; 4) 十条发射极,每条尺寸为30×150微米~2。 在选取结构图形方面,我们有教训:71年开始生产3DG12、3DK4选取了五条发射极结构,这样在成品测试时如用3DC12条件(V_C=10伏,I_C=50毫安),h_(FE)可达100、300甚至上千,而改用30DK4条件(V_C=1伏,I_C=500毫安),h_(FE)只有10、20、30,30以上者甚少。于是有相当一部分管子,其它参数合格,但h_(FE)按3DC12条件太大,按