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采用SIMC 0.18 um BCD工艺,设计一种输出电流2 A,隔离电压5 kV,CMTI为100 kV/us的单通道隔离IGBT栅极驱动器,该IGBT栅极驱动器集成双侧欠压保护、退饱和保护,具有高可靠性.为节省芯片面积和成本,提出一种通道复用技术,将高压侧退饱和状态监测信号(FLTH)和欠压闭锁状态监测信号(RDH)编码后使用一个数字隔离通道同时传输至低压侧,简化电路结构,节省芯片面积约10%.当发生欠压闭锁时,隔离式IGBT栅极驱动器不工作;当未发生欠压闭锁时,可以通过编码信号的脉冲宽度来区分是否发生退饱和状态.仿真与测试结果表明:采用通道复用技术可以准确的将高压侧的退饱和状态监测信号和欠压闭锁状态监测信号传输至低压侧. 相似文献
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文章阐述了∑-△调制器的基本工作原理,构建了二阶∑-△调制器的基本结构,提出了一种用Verilog HDL语言描述二阶∑-△调制器的实现方法,其中采用了简单的移位方法来描述调制器的四个增益系数,以实现乘法操作,进而减小了芯片的面积。在此基础上,运用MATLAB系统工具建立了二阶∑-△调制器系统的模型,并完成了系统仿真验证。在电路级完成了它的Verilog语言描述,同时运用modelsim仿真工具对电路进行仿真验证,对数据进行FFT分析,最终证明了MATLAB系统模型和Verilog代码的一致性。 相似文献
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