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<正>本文给出用外延工艺制备较窄的硅PN结补偿区的一种方法.这种工艺方法是在N型外延层生长结束后,预先通入P型掺杂剂硼烧一定时间,然后再进行P型层的生长,简称掺杂净化工艺.用该方法已能在同一炉中生长P层与N层,浓度与厚度均能较好地控制,制备的P-N补偿区最佳值在0.3μ以内.同时采用氯化氢(1030℃)低温腐蚀工艺,改善了N~+/N的过渡区,N~+/N过渡区≤0.2μ.工艺重复性较好. 相似文献
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