基于SOI衬底的射频电感优化设计

比较了SOI RF电感与体硅电感的性能,并根据模拟结果分析了电感中空面积,电感形状结构,金属宽度、间距对SOI电感品质因数Q、自谐振频率、电感量L的影响,最后提出了一种基于SOI衬底RF电感的优化设计原则.以往射频集成电感性能的比较并不固定电感值,而文中全部参数的变化都是在电感值相同的情况下进行比较.     

深亚微米CMOS将成为RFIC的候选技术

依靠按比例缩小理论,CMOS现在已进入深亚微米至纳米时代,这不仅使CMOS数字集成电路达到Gb规模的集成度,而且由于器件工作频率的提高使CMOS技术有可能进入射频(RF)领域。 RF是radio frequency的缩写,现在RF已经替代微波而成为一个时髦的词。对RF的定义也在随着技术的发展而变化。过去,如果一个电子管制成的放大器的通频带超过600kHz,可以达到广播波段,就定义为射频放大器:而在今天,通频带达到2GHz的运算放大器被称     

基于SOI衬底的射频电感优化设计

比较了SOIRF电感与体硅电感的性能 ,并根据模拟结果分析了电感中空面积 ,电感形状结构 ,金属宽度、间距对SOI电感品质因数Q、自谐振频率、电感量L的影响 ,最后提出了一种基于SOI衬底RF电感的优化设计原则 .以往射频集成电感性能的比较并不固定电感值 ,而文中全部参数的变化都是在电感值相同的情况下进行比较