辐照诱生的双极性线性稳压器的1/f 噪声退化研究

研究发现辐照能使双极线性稳压器LM117的输出1/f噪声性能退化。本文在研究双极线性稳压器LM117的辐照失效机理基础上,认为LM117的内部带隙基准是其噪声性能退化的关键部件,辐照引起的带隙基准内部的双极性晶体管的基极表面复合电流的退化,导致LM117输出1/f噪声发生退化。通过对比,可以看出1/f噪声比电参数敏感,也可以用来表征LM117辐照损伤。     

基于g-r噪声特性的JFET晶体管总剂量效应研究

为了研究N沟道硅结型场效应晶体管（JFET）在辐照环境下的电特性和噪声特性,利用Co-60源对其进行了γ射线辐照试验。辐照剂量率为0.1 rad(Si)/s,累积总剂量为100k rad(Si),辐照试验以及参数测试均在室温下进行。辐照后,器件的电特性保持不变,但产生复合（g-r）噪声随辐照剂量的增加而增大。通过对噪声功率谱密度数据拟合后发现,g-r噪声的特征频率只有非常微小的变化,而g-r噪声幅度在逐渐增大。利用辐照引起的相同种类（激活能相同）的点缺陷密度的增加以及点缺陷捕获-释放载流子几率的增大机制对试验数据进行了解释。     

不同辐照剂量率下NPN晶体管的电流增益退化模型

电离辐照使NPN晶体管基极电流增加,导致电流增益退化。辐照感生的界面态使表面复合速率,感生的氧化物电荷改变基区表面势,导致表面复合率增加,这两者都引起基极电流增加;基于此,建立了电流增益退化模型。结合感生的界面态和氧化物电荷的产生机制,这个模型能够解释辐照导致的增益退化,以及增益退化的低剂量率增强效应。在Co60 源上进行了γ射线辐照试验,高剂量率为10 rad (Si)/,低剂量率为0.1 rad(Si)/s,总剂量为70krad(Si)。这个模型很好解释实验数据。