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Cd气氛退火对CdZnTe晶片质量影响 总被引:1,自引:1,他引:0
在CdZnTe晶体生长时,有时会产生大颗粒的沉积相,严重的影响了CdZnTe晶片的质量,通过电子探针测试证明其为Cd沉积相.采用Cd气氛退火来消除Cd沉积相,可以改善CdZnTe晶片的质量.实验发现:在较高的温度(600℃)条件下,退火可以有效的消除大颗粒(>5 (m)的Cd沉积相,改善CdZnTe晶片红外透过率、X射线双晶回摆曲线半峰宽(FWHM)和腐蚀坑密度(EPD).在此条件下对CdZnTe晶片进行退火,有助于提高CdZnTe晶片的性能. 相似文献
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采用红外显微镜、X射线双晶回摆衍射法、X射线貌相术对CdZnTe衬底中的沉淀相、亚结构、组分偏析等缺陷进行了研究,并对用此衬底液相外延的HgCdTe薄膜作了测试。结果显示: CdZnTe衬底中亚晶界处聚集的位错在外延生长中呈发散状向薄膜中延伸,造成了薄膜形成亚晶界和更大面积的由位错引起的晶格畸变应力区域,影响了薄膜结构的完整性。 相似文献
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