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为了比较简单地在同一外延片上得到具有不同带隙结构的有源器件与无源器件的PIC(光子集成电路)和OEIC(光电子集成电路),采用等离子诱导QWI(量子阱混杂)与RTA(快速热退火)技术获得了InP/InGaAsP结构材料的带隙蓝移,其中通过在材料表面沉积不同占空比的SiO2灰度掩膜来灵活控制带隙偏移量。实验中这种方法在基片上获得了5种带隙波长,其中最大波长偏移为75nm,实验结果说明这种技术是实现PIC和OEIC的有效手段,特别是在多带隙结构中具有广阔的应用前景。 相似文献
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Four-channel monolithically integrated index-coupled distributed-feedback laser array has been fabricated using nanoimprint technology for 1.3 m CWDM system.Selective lasing wavelength with 20 nm wavelength space is obtained.The present results show that the nanoimprint technology is mature and reliable in the fabrication of DFB laser array. 相似文献
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光通信的快速发展对光电子器件提出了更高的要求。基于超高速光传输网络、光以太网及接入网对通信用半导体激光器的性能要求,结合中国光电了器件具体情况,对半导体激光器的性能、研究状态及应用进行了探讨。 相似文献