纳米压印技术制作CWDM系统用DFB激光器阵列

使用纳米压印技术制作了用于1.3um CWDM系统的四通道单片集成折射率耦合DFB半导体激光器。得到了符合设计的20nm通道间隔激射波长。结果显示纳米压印技术在制作DFB半导体激光器方面是成熟可靠的。     

InP基4×4MMI合波器的设计与仿真

采用空气限制的InP基波导,利用其弯曲半径小的优点,设计了一款紧凑型4×4 MMI(多模干涉)合波器,整个器件的尺寸为3 890 μm×100 μm.在输入/输出波导与多模干涉区域之间引入了锥形波导,有效改善了MMI合波器的性能.并通过广角三维光束传输法对器件进行了模拟仿真,得到优化参量,从而实现了其结构的优化.     

基于XML技术的光网络设备通信的设计与实现

从优化软件设计,提高系统通信的实时性、灵活性、可扩展性的角度出发,提出了一种基于XML技术的组包通信方案。该方案引入XML技术,通过将不同业务盘的私有协议封装进XML文件来屏蔽业务盘硬件差异,以此提高设备的灵活性。采用双缓冲队列机制处理数据上报任务,减小线程同步带来的时间开销,保证了数据上报的实时性。实验表明,相比于传统业务盘与主控盘的通信机制,该方案在业务盘组包时具备更高的灵活性与可扩展性,同时与主控盘通信之间具备更低的时延。     

基于空间控制的ICP量子阱混杂技术

本文提出了一种针对InP/InGaAsP材料,基于空间控制技术的ICP量子阱混杂方法。同一片晶片上带隙能量的偏移程度可以通过掩膜上图形的不同占空比灵活的控制。通过一组优化的参数包括ICP-RIE刻蚀深度,二氧化硅沉积厚度,退火过程等,一个样品上,同时实现了五个不同的蓝移,其中最大的蓝移量达到75nm。结果显示在单片集成器件特别是多带隙结构器件的制作中这是一种有效的方法。     

等离子诱导QWI对InP/InGaAsP结构的影响

为了比较简单地在同一外延片上得到具有不同带隙结构的有源器件与无源器件的PIC(光子集成电路)和OEIC(光电子集成电路),采用等离子诱导QWI(量子阱混杂)与RTA(快速热退火)技术获得了InP/InGaAsP结构材料的带隙蓝移,其中通过在材料表面沉积不同占空比的SiO2灰度掩膜来灵活控制带隙偏移量。实验中这种方法在基片上获得了5种带隙波长,其中最大波长偏移为75nm,实验结果说明这种技术是实现PIC和OEIC的有效手段,特别是在多带隙结构中具有广阔的应用前景。     

半导体激光器在超高速光网络中的应用

光通信的快速发展对光电子器件提出了更高的要求.基于超高速光传输网络、光以太网及接入网对通信用半导体激光器的性能要求,结合中国光电子器件具体情况,对半导体激光器的性能、研究状态及应用进行了探讨.     

Fabrication of four-channel DFB laser array using nanoimprint technology for 1.3μm CWDM systems

Four-channel monolithically integrated index-coupled distributed-feedback laser array has been fabricated using nanoimprint technology for 1.3 m CWDM system.Selective lasing wavelength with 20 nm wavelength space is obtained.The present results show that the nanoimprint technology is mature and reliable in the fabrication of DFB laser array.     

半导体激光器在超高速光网络中的应用

光通信的快速发展对光电子器件提出了更高的要求。基于超高速光传输网络、光以太网及接入网对通信用半导体激光器的性能要求,结合中国光电了器件具体情况,对半导体激光器的性能、研究状态及应用进行了探讨。