缓冲层对氮化镓二维生长的影响

报道了在射频等离子体（RF-Plasma)辅助的分子束外延（MBE）技术中，使用白宝石（0001）衬底，采用低温缓冲层工艺外延氮化镓（GaN)。通过原子力显微镜（AFM）的表面形貌比较及X射线双晶衍射（XRD）ω扫描摇摆曲线的分析，讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系，确立了缓冲层的三维成核，准二维生长的生长机理，并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长，进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。     

室内场景中包含平面的网格简化模型的构建

为了构建带有平面的网格简化模型模拟室内场景,提出了一种快速网格建模算法.首先通过基于热传导原理的平面提取算法,快速、鲁棒地从有噪声的网格中重建出水平和竖直方向的平面部分;然后使用QEM算法对网格进行简化处理,同时在简化过程中通过对连接条件的判断避免产生非流形边;最后对网格边界的顶点进行分类处理,保证平面网格与非平面网格公共边界拓扑连接的一致性.以TUM-RGBD数据集生成的网格模型为输入,与Guided Normal Filter等算法进行了对比,结果表明,文中算法可以重建出拓扑连接一致的带有平面的简化网格,重建速度基本满足实时交互的要求.     

用于纳米级芯片制造的基于单晶圆LPCVD工艺

低压化学气相沉积（LPCVD）是化学气相沉积（CVD）的一个分支,同时也是半导体集成电路制造工艺中必不可少的重要工序之一。它主要用于多晶硅及其原位掺杂、氮化硅、氧化硅以及钨化硅等薄膜的生长。其基本原理是将一种或数种物质的气体,在低气压条件下,以热能的方式激活,发生热分解或化学反应,在衬底（如硅晶圆）表面沉积所需的固体薄膜。     

射频等离子体分子束外延GaN的极性研究

对采用射频等离子体分子束外延（RF-plasma MBE)生长得到的GaN进行极性研究。由于镓极性（Ga-polar)比氮极性（N－polar)有更好的化学稳定性，通过比较RF－plasma MBE生长得到的不同GaN样品对光辅助湿法刻蚀的稳定性，发现缓冲层生长条件对GaN外延层的极性有着重要影响：较高缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为N－polar，较低缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为Ga-polar。     

用于纳米级芯片制造的基于单晶圆LPCVD工艺

低压化学气相沉积(LPCVD)是化学气相沉积(CVD)的一个分支,同时也是半导体集成电路制造工艺中必不可少的重要工序之一。它主要用于多晶硅及其原位掺杂、氮化硅、氧化硅以及钨化     

氮化镓光辅助湿法刻蚀后的位错密度估算

发展了一种显示与估算氮化镓 (Ga N)位错密度的光辅助湿法刻蚀与原子力显微镜相结合的方法。所用 Ga N采用射频等离子体辅助的分子束外延技术 (RF-plasma MBE)生长 ,腐蚀液为 KOH水溶液。结果发现 ,使用 5 .0 M的 KOH溶液刻蚀 5分钟的 Ga N,其 AFM图谱上出现了非常明显的“小坑”,且“小坑密度”的量级与Ga N样品的位错密度量级相当。采用 X-ray衍射的二维三轴图谱 (TDTAM)研究 Ga N的马塞克柱状生长与缺陷 ,并延用文献报道的方法估算其位错密度 ,所得位错密度的结果与“小坑密度”一致。验证了“小坑”即为被刻蚀了的 Ga N位错。这样 ,对 RF-plasma MBE生长的 Ga N样品的位错密度估算 ,就多了一个有更广适用范围的测量方法     

IC中100纳米以下栅层叠技术

随着半导体器件特征尺寸的不断微缩（Scaling）,大量的新材料、新技术、新工艺以及新结构在集成电路的设计和制造中不断涌现。本文对近年来在100纳米以下半导体逻辑电路中普遍使用的栅层叠技术（gate stack）进行简要介绍,包括栅氧化层、氧化层的掺杂、掺杂元素的激活以及栅电极生长的集成工艺技术。     

低介电常数材料在超大规模集成电路工艺中的应用

本文概述了低介电常数材料(Low k Materials)的特点、分类及其在集成电路工艺中的应用.指出了应用低介电常数材料的必然性,最后举例说明了低介电常数材料依然是当前集成电路工艺研究的重要课题,并展望了其发展前景.