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瞬态剂量率辐射试验会引起集成电路发生损伤或失效,其原因至少有两种:闭锁大电流引起的电路内部金属互连熔融;累积电离总剂量引起的氧化层电荷造成阈值电压偏移。本文以一种0.13 μm体硅CMOS处理器为对象,研究了瞬态剂量率和稳态电离总剂量辐射效应规律。结果表明:瞬态剂量率闭锁效应对处理器造成了显著的潜在损伤,导致其总剂量失效阈值从1 030 Gy(Si)降低至600 Gy(Si)。研究结论对于大规模集成电路的可靠性评估和指导辐射加固设计有重要参考意义。 相似文献
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本文针对文献报道的2N2222晶体管中子辐射实验结果,开展了硅基三极管的脉冲中子辐射效应仿真研究.首先,介绍了基于连续性假设的硅基器件脉冲中子辐射效应TCAD仿真方法:通过求解中子诱发缺陷与载流子的连续性方程,可计算脉冲中子辐射过程中缺陷的动力学演化过程,以及器件电学性能的瞬态响应;给出了仿真方法使用的物理模型、缺陷种类、缺陷之间的反应类型和反应参数等,以及在TCAD软件中的实现过程.然后,以文献中2N2222晶体管为对象,进行了中子辐射损伤模型与仿真方法的验证,结果表明辐射退火完成后2N2222基极电流和集电极电流计算结果与文献报道的实验结果一致,证明了该仿真方法的正确性. 相似文献
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煤矿的瓦斯抽放泵利用泵壳和叶轮间不同心的安装结构,在叶轮作旋转时,构成与叶轮成偏心的水环,充满在叶轮间的容积,在固定的吸气口和排气口的相应配合下,完成吸气、压缩和排气作用。循环水作为瓦斯抽放泵的重要组成部分,长时间运行的状态下不可避免的会产生大量的水垢附着在泵体内壁和叶轮上。传统的除垢方法是利用药剂和水垢的化学反应分解水垢,并不能从根本上解决结垢问题。根据以上背景进行瓦斯抽采泵阻垢装置的设计与应用,通过系统对循环水水质的实时监测,可以动态往循环水管投放阻垢剂,保证设备整体系统无新垢产生,能阻止95%以上的水垢产生,减少黏泥及菌类对抽采泵系统的影响。装置智能化程度高,在线监测水质指标,自动添加阻垢剂。 相似文献
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FPGA系统电路进行抗γ剂量率器件选择是非常困难的。针对FPGA器件抗γ剂量率性能优选,试验研究了3种反熔丝FPGA器件的7剂量率辐照效应规律。全部样品均出现了低阈值γ剂量率扰动效应,但均未产生高γ剂量率闭锁效应。FPGA器件低阚值γ剂量率失效主要是瞬时光电流扰动引起了时序逻辑功能的失效,而其模块海间的反熔丝开关电阻却对产生闭锁效应的大的辐射浪涌电流提供了保护。实验结果表明,系统电路设计加固是其实现抗γ剂量率最有效的方法。 相似文献
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一个新的四维混沌系统及其电路实现 总被引:1,自引:0,他引:1
为了产生复杂的混沌吸引子,提出了一个新的四维自治混沌系统,实现了真正的四翼混沌吸引子,通过仿真给出了该系统的时域图和功率谱图,同时设计了该系统的实现电路.试验结果与仿真结论完全一致.电路结构简单,实现容易.对保密通信和信号加密等基于混沌的实际应用有重要意义. 相似文献
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建筑结构产生裂缝是很普遍的现象,其中最常见的要数钢筋混凝土构件以及砖墙裂缝。本文分析了钢筋混凝土结构裂缝产生的8种原因,就这些原因给出了7种预防措施。 相似文献
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概述了国内外瞬时电离辐射效应的研究历程。针对空间电子学系统常用的两种类型可编程器件(32位微控制器和反熔丝FPGA),分别研制了辐照试验长线动态测试系统,在"强光一号"脉冲加速器上开展了γ瞬时电离辐照试验。试验数据表明:32位微控制器的瞬时电离辐射效应表现为复位重启和闭锁,闭锁阈值为6×107Gy/Si.s,反熔丝FPGA的瞬时电离辐射效应表现为瞬时扰动和复位重启,二者的工作电流都随着剂量率的增加而升高。分析了两种可编程器件的瞬时电离辐射损伤机理,提出了一种"瞬时回避+数据备份与恢复"的抗瞬时电离辐射的电路设计加固方法。 相似文献
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描述了ONO反熔丝的物理结构,采用ONO薄膜传导模型分析了ONO反熔丝结构在受到电离辐照时,其内部电子-空穴的运动规律。分别对ONO反熔丝FPGA A1460A和A40MX04进行了电离辐照实验,测试了电流与辐照剂量的关系以及FPGA功能失效阈值。理论分析和实验数据说明了该结构比单层SiO2具有更好的抗电离辐照性能。 相似文献