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1.
水解净化硅外延尾气
赵用中
《固体电子学研究与进展》
1982,(2)
<正>硅外延工艺用SiCl_4原料以H_2作载体,在磨口石英反应器中进行.当尾气用水溶液鼓泡或塔器吸收时,因排气阻力和SiO_2堵塞,使外延系统压力上升,带来H_2泄漏或磨口冲出的危险,也可能会影响外延工艺的稳定,因此,采用水喷雾法,对硅外延尾气进行净化.
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