GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析

Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射式光电阴极的分辨力是第３ 代微光像增强器的重要参数之一。从简化的二维扩散方程推导了 Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射式阴极的调制传递函数（ Ｆｍ ,ｔ） ,计算了２ μｍ 厚 Ｇａ Ａｓ 阴极层的 Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射阴极的理论分辨力特性曲线,并讨论了它与若干参数的关系。据此得出在设计 Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射式光电阴极时应主要考虑最大量子效率,分辨力的损失并不限制系统的性能。     

蓝光聚合物共混材料的发光特性

研究了不同组成 PVK和 P6 共混材料薄膜的光吸收特性和光致发光特性 .用不同比例 PVK∶ P6 共混材料为发光层和 Alq3为电子传输层合成双层结构的蓝光器件 ,测量器件的电致发光谱、电流 -电压特性和亮度 -电压特性 .结果表明 ,共混材料的光致发光强度比 PVK和 P6 都有明显的增强 ,且随 PVK浓度的增加而增强 ;器件电致发光强度随 PVK浓度的增加而增强 ;不同 PVK掺杂浓度对电致发光器件的开启特性没有明显影响 ,发光亮度随 PVK掺杂浓度的增加而增大 .     

Sn掺杂Ga_(1.375)In_(0.625)O_3透明导电氧化物的第一性原理计算

用第一性原理计算了Sn替位Ga1.375In0.625O3化合物的Ga原子(Ga1.25In0.625Sn0.125O3)和Sn替位Ga1.375In0.625O3化合物的In原子(Ga1.375In0.5Sn0.125O3)的结构、电子能带和态密度。Ga1.25In0.625Sn0.125O3半导体材料比Ga1.375In0.5Sn0.125O3材料具有大的晶胞体积和强的Sn-O离子键。在Sn掺杂Ga1.375In0.625O3半导体中,Sn原子优先取代In原子。Sn掺杂Ga1.375In0.625O3半导体显示n型导电性,杂质能带主要由Sn 5s态组成。Ga1.375In0.5Sn0.125 O3半导体的光学带隙大于Ga1.25In0.625Sn0.125O3半导体的光学带隙。Ga1.25In0.625 Sn0.125 O3具有小的电子有效质量,Ga1.375In0.5Sn0.125O3具有多的相对电子数。     

退火温度对透明导电Ga_2O_3/ITO周期多层膜性能的影响

用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO靶材在石英玻璃衬底制备Ga2O3/ITO周期多层膜。样品在300~800℃真空退火1小时,研究退火温度对薄膜光学和电学性能的影响。400℃退火的Ga2O3/ITO周期多层膜面电阻和电阻率低至68.76Ω/□和3.47×10-3Ω·cm,载流子浓度和霍尔迁移率高达1.30×1020cm-3和14.02cm2 V-1s-1。退火温度超过500℃后,Ga2O3膜层和ITO膜层之间开始相互扩散,薄膜结晶质量和导电性变差。所有退火薄膜在紫外-可见光范围的平均光学透过率高于83%,光学带边吸收随退火温度增加发生蓝移,光学带隙从4.59eV增加到4.78eV。     

Electronic structures and optical properties of Nb-doped SrTiO3 from first principles

The n-type Nb-doped SrTiO₃ with different doping concentrations were studied by first principles calculations. The effects of Nb concentration on the formation enthalpy, electronic structure and optical property were investigated. Results show that Nb preferentially enters the Ti site in SrTiO₃, which is in good agreement with the experimental observation. The Fermi level of Nb-doped SrTiO₃ moves into the bottom of the conduction band, and the system becomes an n-type semiconductor. The effect of Nb-doping concentration on the conductivity was discussed from the microscopic point of view. Furthermore, the 1.11 at% Nb-doped SrTiO₃ shows strong absorption in the visible light and becomes a very useful material for photo-catalytic activity. The 1.67 at% and 2.5 at% Nb-doped models will be potential transparent conductive materials.     

用第一性原理研究n型Sn/F共掺杂β-Ga2O3

用第一性原理计算了Sn掺杂 β-Ga2O3、F掺杂β-Ga2O3和Sn/F共掺杂 β-Ga2O3的形成能、电子结构和光学性能。用LDA方法计算的本征β-Ga2O3和Sn掺杂 β-Ga2O3的晶格常数和电子结构与实验值吻合。形成能计算表明Sn掺杂 β-Ga2O3、F掺杂β-Ga2O3和Sn/F共掺杂 β-Ga2O3在富氧条件下比在富镓条件下容易形成。Sn掺杂 β-Ga2O3、F掺杂β-Ga2O3和Sn/F共掺杂 β-Ga2O3显示n型半导体特性。Sn/F共掺杂 β-Ga2O3具有最小的电子有效质量和最大的相对电子数,具有潜在的良好导电性。Sn/F共掺杂 β-Ga2O3在可见光区域显示强的光吸收。     

蓝光聚合物共混材料的发光特性

研究了不同组成PVK和P6共混材料薄膜的光吸收特性和光致发光特性．用不同比例PVK∶P6共混材料为发光层和Alq3为电子传输层合成双层结构的蓝光器件,测量器件的电致发光谱、电流-电压特性和亮度-电压特性．结果表明,共混材料的光致发光强度比PVK和P6都有明显的增强,且随PVK浓度的增加而增强;器件电致发光强度随PVK浓度的增加而增强;不同PVK掺杂浓度对电致发光器件的开启特性没有明显影响,发光亮度随PVK掺杂浓度的增加而增大．     

无碳污染微通道板电子透射膜

提出利用静电贴膜技术制备无碳污染MCP电子透射膜工艺方案,探讨了贴膜与辉光气体放电的关系,制备了4nm厚MCP电子透射膜.实验测得该电子透射膜的成分只有铝和氧元素,MCP带膜前、后的体电阻和暗电流没有变化,MCP带膜后电子增益略有增加.     

纳米Ag夹层ZnO薄膜的光电性能

用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Ag靶的方法在室温下制备了Ag纳米夹层结构ZnO薄膜．用X射线衍射仪、紫外一可见分光光度计、四探针电阻测量仪和原子力显微镜对薄膜样品的结构、光学透过率、面电阻和表面形貌进行表征．结果表明,ZnO衬底有利于Ag夹层形成连续膜．随着Ag层厚度的增加,Ag夹层ZnO薄膜呈现多晶结构,Ag（111）衍射峰强度增强,面电阻先迅速下降后缓慢下降．随着ZnO膜厚度的增加,Ag夹层ZnO薄膜的透射峰红移．制得样品的最佳可见光透过率高达92．3％,面电阻小于4．2Ω／□．     

用第一性原理研究Sn掺杂 Ga1.375In0.625O3的电子结构和导电性

用第一性原理计算了Sn 替位Ga1.375In0.625O3化合物的Ga 原子(Ga1.25In0.625Sn0.125O3)和Sn 替位Ga1.375In0.625O3化合物的In原子(Ga1.375In0.5Sn0.125O3)的结构、电子能带和态密度。Ga1.25In0.625Sn0.125O3半导体材料比Ga1.375In0.5Sn0.125O3材料具有大的晶格参数和强的Sn–O离子键。在Sn掺杂 Ga1.375In0.625O3化合物中,Sn 原子优先取代In 原子。Sn掺杂 Ga1.375In0.625O3化合物显示n型导电性, 杂质能带主要由Sn 5s 态组成。Ga1.375In0.5Sn0.125O3化合物的光学带隙大于Ga1.25In0.625Sn0.125O3化合物的光学带隙。 Ga1.25In0.625Sn0.125O3 具有小的电子有效质量和大的电子迁移率,Ga1.375In0.5Sn0.125O3 具有多的相对电子数和好的导电性。