硅 SIMOX 单模脊形光波导研制

本文描述硅光波导技术的重大突破：（１）用ＳＩＭＯＸ技术代替传统的硅外延型光波导，解决了衬底吸收光波．从而显著改善了光波导的传播损耗．（２）在理论及实验上均已解决用调整脊形的高宽比（高宽均能达１０微米左右），制取单模脊形光波导．这种光波导的下覆盖层是ＳｉＯ２，传播损耗小；断面积大，和单模光纤耦合良好．满足了光集成技术中对光波导的几项重要要求．     

半导体器件Poisson方程数值解法的比较及改进

本文对半导体器件物理计算机模拟中非线性Poiccon方程的主要数值法——有限差分、有限元Newton法及Mayergoyz法进行了比较.计算结果表明Mayergoyz法具有编程简单、节省计算机贮存单元及收敛性好的优点,但运算速度随离散点增加而显著变慢.本研究将该法和SOR法结合起来,克服了上述缺点.     

Ar~+注入吸杂效应与剂量的关系

本文研究高能氩离子注入硅单晶片背面,对单晶片正面有源区里的重金属杂质等的吸杂效果.吸杂作用以少数载流子寿命的提高来衡量.结果表明,Ar~+的优化吸杂剂量在 7.5 ×10~(14)cm~(-2)及 7.5 ×10~(15)cm~(-2)左右.文中最后论及吸杂效果和剩余缺陷密度的关系.     

Monte Carlo法研究短沟道MOS晶体管V_T的敏感度

本文用 Monte Carlo法研究了 MOSFET的几何尺寸、工艺参数在实际范围内波动时,阈值电压V_T的离散及其对氧化膜厚度t_(ox)、表面态电荷密度Q_(ss)、衬底杂质浓度N_A及沟道长度L等六个变量的敏感度.结果表明:V_T是正态分布;随着沟道变短进入短沟道区域,V_T对L的敏感度急剧上升,对t_(ox)、Q_(ss)及N_A的敏感度下降.     

Monte Carlo微粒模拟法研究GaAs的NDM

本文用Monte Carlo 微粒模拟法(Particle Simulation)研究了GaAs中导带电子的负微分迁移率NDM(Negative Differential Mobility).电子的起始状态假设按照麦克斯韦律分布在Γ带中.电子作漂移运动时考虑了极性光学波和声学波的谷内、谷间散射.散射后假设定向速度消失,简化了计算.结果表明和实验值符合良好.也和前人计算结果进行了比较.     

硅单模脊形光波导的三维模拟及实测结果

对当前硅光集成技术的热点、制备大断面低传播损耗单模脊形光波导进行了三维理论模拟设计。脊的上覆盖层是空气（大折射率台阶，非对称情况）或纯硅层（对称情况），均能得到符合实际的模拟结果。改变脊形光波导的高宽几何尺寸或折射率分布值，模拟结果呈现单模、双模或更高阶模的电场分布及光强分布。用相应条件指导硅脊形光波导的实际制备，实测结果表明模拟结果是准确的。     

Si亚微米MESFET的Monte Carlo法模拟

本文是继用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ法模拟ＧａＡｓ亚微米器件后，进一步用该法模拟Ｓｉ亚微米ＭＥＳＦＥＴ。文中除了处理Ｓｉ和ＧａＡｓ散射机制不同外，在模拟方法上有重要进步：用ＦＦＴ代替迭代法，加速解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程过程；用快速自散射代替常规自散射，压缩计算无用自散射时间。这些进步相当程度地克服Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ微粒模拟法费机时的固有缺点。模拟得到的形象且合理的结果，给出亚微米栅长时Ｓｉ ＭＥＳＦＥ     

Ar~ 注入吸杂效应与剂量的关系

本文研究高能氩离子注入硅单晶片背面,对单晶片正面有源区里的重金属杂质等的吸杂效果.吸杂作用以少数载流子寿命的提高来衡量.结果表明,Ar~ 的优化吸杂剂量在 7.5 ×10~(14)cm~(-2)及 7.5 ×10~(15)cm~(-2)左右.文中最后论及吸杂效果和剩余缺陷密度的关系.     

MOS晶体管VT成品率与沟道长度的关系

本文用Monte Carlo法模拟计算短沟MOSFET阈值电压V_T的成品率。当沟道变短,由于短沟道效应产品的V_T值变得更加分散。此外,当沟道长度L进入亚微米区,源漏的耗尽区可能在沟道中相接或重迭而使沟道消失。上述二个原因使V_T的成品率下降。     

锗硅脊形光波导Y分支器的模拟及试制

继研制成功单模脊形锗硅合金光波导后，进一步用这种光波导试制Ｙ分支器．文中用束传播法ＢＰＭ首先从理论上分析了波长λ＝１．３μｍ的光波在分支器中的传播特性，模拟计算了模场的传播及损耗．其次叙述了实际锗硅Ｙ分支器的制造工艺及测量结果．结果表明，激光束耦合进锗硅分支器的输入端后，分支器的二路输出端成功输出均匀的单模光波．