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建立了非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜晶体管(thin-film transistor, 简称TFT)的仿真模型,仿真分析了IGZO半导体层带尾态密度和沟道层厚度两个参数对IGZO TFTs特性的影响规律.研究结果表明,当半导体层带尾态密度增加到1.5×1019 cm-3·eV-1及以上时,器件电学特性受深陷阱态影... 相似文献
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合成了一种新的有机染料1,2,4,5-四(4-吡啶乙烯基)苯1,2,4,5-tetrakis(4-pyridylvinyl)benzene(简称为TVPB)并测试了其双光子荧光性质.溶剂缓慢挥发法得到了其反应中间体1,2,4,5-四(二甲氧基膦酰甲基)苯1,2,4,5-tetra (dimethoxyphosphorylmethyl)benzene(简称为TDMPMB)的晶体.用X射线四圆衍射仪对晶体结构进行了解析. 相似文献
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