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文章针对澄城县地形地貌特征和水资源贫乏、干旱少雨的现状,分析了几种适宜于县域特点的节水灌溉工程技术模式,并就如何实施提出了相应的对策,对全县节水灌溉事业的发展有一定的促进作用。 相似文献
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提出了一种基于多态忆阻器的神经网络电路硬件实现方法。采用28 bit的惠普忆阻模型来构建存储权重的双忆阻稳定结构,结合了低功耗轨到轨运放技术以及寄存器技术,设计了模值与极性分离的绝对值电路,以及以忆阻器为核心、可进行正负浮点数运算的权值网络矩阵电路。通过Verilog-A编写激活单元,实现了多层忆阻神经网络。该电路采用并行输入和模拟信号处理方式,控制简单,无需中间数据缓存。实验结果表明,该方法有效提升了以忆阻器为核心的人工神经网络的稳定性和运行效率。 相似文献
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文章通过对澄城县自然情况和水库现状等情况的分析,结合水库运行管理实际,从日常管理、工程建设等方面提出了水库防洪保安的对策,明确了水库安全度汛的具体措施。 相似文献
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大数据时代的到来,对高密度存储和计算的速度、功耗提出了更高的要求.相变存储器由于具有较短的读取延迟和良好的可扩展性,在存储和计算领域中具有广阔的应用前景.将相变存储器扩展为高密度存储阵列时所产生的热串扰现象是目前阵列集成所面临的重要挑战,而热串扰所产生的干扰热量会进一步传递到相邻单元并使其发生误操作,导致存储器阵列的可靠性、准确性和稳定性受到影响.因此,本文针对一种新型刀片型结构的3×3相变存储器阵列在激活状态下的热串扰现象进行了系统研究,通过仿真计算软件Comsol Multiphysics系统研究了新型刀片型结构的相变存储器阵列对热串扰的敏感性,并探讨了器件单元间距、器件结构尺寸、编程脉冲以及阵列的缩放效应对存储器阵列在工作时所产生的热串扰效应及其功耗的影响.研究结果显示:基于新型刀片型结构的相变存储器阵列,即使将其缩放到20 nm的技术节点,在5 nm的器件单元间距下仍可保持较低的最大热串扰温度.此外本文对阵列单元外部的绝缘层材料进行了改进,通过使用较高热导系数的AlN薄膜来代替SiO2薄膜,在存储器阵列功耗几乎保持不变的情况下进一步有效抑制了热串扰效应,使其最大热串扰温度下降了... 相似文献
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存算一体技术目前被认为是一种可以消除冯·诺依曼计算架构瓶颈的可行性技术。在众多的存算一体器件中,相变存储器(PCM)因其具有非易失性、可微缩性、高开关速度、低操作电压、循环寿命长以及与现有半导体工艺相兼容等优点,被认为是未来通用存储和神经形态计算器件中最具竞争力的候选者之一。首先介绍了PCM的工作原理和器件材料结构,并详细讨论了PCM在通用存储和神经形态计算领域的应用。PCM具有高集成度和低功耗的共性需求,但这两个应用领域对材料性能有不同的侧重点。详细分析了PCM目前存在的优缺点,如高编程电流导致的功耗问题,以及商业化应用面临的主要挑战。最后,针对PCM的研究现状提出了一系列改进措施,包括材料选择、器件结构设计、预操作、热损耗降低、3D架构,以及解决阻态漂移等问题,以推动其进一步发展和应用。 相似文献
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