从PCI接口的综合验证方法

当今流行的先进的验证技术有很多,本文综合使用了OVL(OpenVerificationLibrary)断言验证、总线功能模型BFM(BusFunctionModule)层次化验证和FPGA(FieldProgrammableGateArray)硬件加速仿真这三种验证技术,搭建一个从PCI(PeripheralComponentInterconnect)接口的验证环境.实验表明,该验证环境增强了验证的可重用性、可控性,极大地减少了仿真的工作量,提高了验证的效率.     

用于器件描述和电路仿真的新型多晶硅TFT直流模型

提出一种新型的多晶硅薄膜晶体管电流-电压物理模型.考虑了陷阱态密度的V形指数分布,运用Lambert W函数推出了表面势的显式求解方法,大大提高了运算效率,在电路仿真中发挥了重要作用.基于指数的陷阱态密度和计算的表面势,描述了亚阈值区和强反型区的漏电流特性.推导了完整、统一的漏电流表达式,包括翘曲效应.在很广的沟道长度范围和工作区内,模型和实验数据一致.     

多晶硅薄膜晶体管RPI模型的直流参数提取

多晶硅薄膜晶体管(TFT)在有源液晶显示器中的应用充分显示了它的性能优点。对多晶硅TFT进行模型分析和参数提取是理解多晶硅TFT工作原理和指导制备的有效途径。归纳并讨论了多晶硅薄膜晶体管RPI模型直流参数的提取策略。此参数提取步骤简单,并能准确地提取所有工作区的基本直流参数,如阈值电压、漏源区串联寄生电阻、有效沟道长度、迁移率等。参数提取的方法将为RPI模型的电路仿真提供有益的参考。最后,提出了改进RPI模型参数提取策略的方向,包括提高泄漏电流参数、迁移率参数的准确度等。     

多晶硅TFT模型的研究进展

全面介绍了多晶硅薄膜晶体管(TFT)紧凑模型的现状和应用前景,简单说明了多晶硅TFT特有的电学特性,这是多晶硅TFT建模的基础,重点介绍了基于阈值电压和基于表面势的多晶硅TFT紧凑模型的研究进展,并对这些模型进行了评述,其中RPI模型是基于阈值电压的TFT模型的典范.虽然TFT模型已经有所发展,但成熟度还远远不够.最后提出了改进多晶硅TFT模型的方向和策略,包括二维器件模拟的应用、基于表面势模型的发展、多晶硅材料特性的应用、统一模型的发展、短沟效应的建模和参数提取等.     

基于物理并适用于电路仿真的多晶硅薄膜晶体管薄层电荷模型

本文利用薄层电荷理论,建立了一个基于表面势的、物理的多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon Thin-Film Transistors,poly-Si TFTs)的电流模型,且该模型适用于电路仿真.推导了 poly-Si TFTs 表面势的近似解法,该求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率,且精确度高并得到实验验证.基于物理的迁移率方程考虑了晶界势垒高度,和由于声子散射与表面粗糙散射引起的迁移率退化.基于 Brews 的薄层电荷模型和上述非迭代计算表面势,本电流模型同时考虑了漏致势垒降低(DIBL)效应、kink 效应和沟道长度调制效应.对不同沟长的器件实验数据比较发现,提出的模型在很广的工作电压内与实验数据符合得非常好.同时本模型的所有方程都具有解析形式,电流方程光滑连续,适用于电路仿真器如 SPICE.     

基于表面势的多晶硅晶体管漏电流物理模型

提出了一种基于薄层电荷模型、陷阱态密度和表面势的多晶硅薄膜晶体管漏电流物理模型。模型采用非迭代的运算方法, 简单且适用于所有大于平带电压的工作区域。 考虑了包括高斯分布的深能态和指数分布的带尾态在内的陷阱分布形式, 陷阱分布参数的提取通过光电子调制谱方法实现。通过模型与现有实验结果的比较, 得到一致的符合结果。     

多晶硅薄膜晶体管Kink效应研究与建模

多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFTs)技术在SOP(system on panel)显示应用中发挥着越来越重要的作用.随着尺寸的不断缩小,P-si TFT 的Kink效应越来越明显,对有源液晶显示矩阵和驱动电路的性能影响很大.对发生Kink效应的物理机制、二雏数值仿真及其一维解析模型进行了分析,讨论了晶粒边界、沟道长度与Kink效应的关系,提出建立适合电路仿真的一维解析模型的关键与展望.     

有机/无机杂化钙钛矿太阳能电池S形电流扭结的集总参数等效电路模型

提出一种改进的太阳能电池集总参数等效电路模型,可以实现对S形电流电压曲线的准确拟合。该改进模型使用四个二极管,采用分区和Lambert W函数方法建立结点电压显式算法,获得电流-电压显式方程。与具有多个子电路的电路模型比较,改进模型中加入分流电阻,结构上更加完整。此外,该模型可以描述S形曲线,对较大正向电压下I-V特性第一象限的指数型曲线可实现良好拟合。基于该模型解析求解算法,可避免长时间数值迭代计算,获得满足误差要求的计算结果,利于仿真电路和模型参数提取。     

基于表面势的多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型

显式地推导多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon thin-film transistors,poly-SiTFT)表面势隐含方程的近似解,该求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率,且精确度非常高,与数值迭代结果比较,绝对误差范围只在纳伏数量级。利用求得的表面势,建立了一个poly-SiTFT栅电容模型,该电容电压模型能连续、准确地描述poly-SiTFT在线性区和饱和区的动态特性,同时该模型考虑了kink效应、沟道长度调制效应和寄生电容等。对实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据符合得较好,能准确地预测poly-SiTFT的栅电容特性。     

一种彩色LED显示屏16位恒流驱动专用芯片的设计

基于CSMC 0.5μm 5 V CMOS标准工艺,流片实现了一种彩色LED显示屏16位恒流驱动专用芯片的设计。采用高精度的基准电源抗失调和驱动电流输出匹配等技术,保证了在-40℃～80℃工作温度、4.5 V～7 V工作电压和负载宽幅改变情况下,芯片各通道最大输出电流达到106 mA,而相应的位间电流输出误差小于2.1%,片间电流输出误差小于3.3%。同时电源电压调整率为0.3%,输出电压调整率为0.09%。