Si-C相图的研究及碳对硅单晶质量的影响

本文用气相掺杂法得到低氧区熔硅晶体中熔点附近碳的固溶度为8·6×10~(17)cm~(-3)。并指出不同的碳含量对晶体结构缺陷产生的影响。当1423K≤T≤1573K时,碳的固溶度表达式为[C]=3.0×10~(26)exp(-66kcal/RT)cm~(-3)。求出了Si-C相图的硅侧。     

掺氮区熔硅单晶深能级的研究

DLTS测量发现,在原生掺氮区熔硅单晶中,除E_c-0.20eV、E_c-0.28eV与氮相关外,E_c-0.57eV能级也与氮相关.此三能级在低于400℃、经0.5 小时退火均消失,同时测得三个与氮相关的新能级E_c-0.17eV、E_c-0.37eV和E_c-0.50eV,并研究了它们的退火行为.     

RTCVD工艺制备poly-si薄膜太阳电池的研究

报道了快速热化学气相沉积(RTCVD)工艺制备多晶硅(poly-si)薄膜及电池的实验和结果.采用SiH2CL2作为原料气体,衬底温度为1030℃时,薄膜的生长速率为10nm/s.发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与衬底温度和材料有关.用该薄膜在未抛光重掺杂磷的硅衬底上制备1cm2的p+n结样品电池,无减反射涂层,其转换效率为4.54%(AM1.5,100mW/cm2,25℃).     

半导体材料与器件生产工艺尾气中砷、磷、硫的治理及检测

本文研究了化合物半导体材料、器件生产工艺过程中排出的有毒物质砷、磷、硫及其化合物的治理方法．还研究了这些有毒物质的低温富集取样及快速、灵敏的分析监测方法，并与其它经典的方法作了对比．