微组装电路的设计特点与制造技术

分析了国内微组装电路的发展现状，深入探讨了微 组装电路的设计特点和结构工艺制造技术，提出了发展微组装电路物途径。     

一种新型功率开关用的MOS栅双极晶体管

已研究成功一种新型单片集成功率开关器件(MOS栅晶体管MGT),其结构是:双极晶体管作输出级,两个MOS FET作驱动级。研究的目的是为了获得一种具有如下特性的功能开关器件:容易驱动,关断时间短和电流密度大。研究的器件结构特点是,在一个小单元内集成三个元件,MGT芯片由很多这种小单元组合而成。这种器件没有寄生闸流管,使它避免了闭锁现象。已研制成功具有阻塞电压为400～500伏的单元MGT器件。它能达到:在2伏集电极-发射极电压下,电流密度高达90安/平方厘米,关断时间短至1μs。一个MGT器件芯片包含36个小单元,制作在5×5mm的芯片上。在150℃时,其阻塞电压为500伏,在10A的电流下,开态电压为2.3伏,关断时间为0.5μs。     

国产脉宽调制型开关稳压器集成电路——X1524、X1525、X1527、X1526系列产品

一、引言 开关电源自采用专用IC以来,设计、制造成本大幅度下降,可靠性大幅度提高,并一跃成为电子工业中很有生气的领域之一。世界各大电源生产厂家纷纷将资金、人力诸方面转向开关电源的研究和生产。要节约能源,提高效率,就必须发展开关电源。80年代美国Silicon-General公司率先开发出SG系列脉宽调制型开关稳压器集成电路产品,其它公司也相继推出类似产品。IC的问世促进了开关电源的研制、生产及应用。     

实现高压双极器件与I~2L器件单片兼容的最简单技术

本文讨论3.2×3.4mm~2的CVSD芯片内双极高压模拟器件与I~2L逻辑器件单片兼容的技术。该工艺采用在常规p-n结隔离双极IC基础上只增加一步深N~+扩散实现兼容,它是目前最简单的工艺方案。芯片采用5μ技术,集成286个元器件。除高压双极器件(BV_(ceo)≥25伏,β≥120)及I~2L注主逻辑单元器件外,还集成特殊结构二极管、扩散电阻、硼注入电阻及MOS电容等。本文侧重讨论高压双极器件晶体管与I~2L注入逻辑晶体管的参数匹配及工艺兼容,分析了p-n-p晶体管的小电流工作状态及器件结构、工艺的最佳化设计。同时对大阻值高精度的硼离子注入电阻的制作和修正技术也进行了讨论。还对影响电路参数的双层介质MOS电容的容量控制进行了分析。最后提出元器件的单片兼容结构及工艺方案,     

机电部二十四所43项科研成果鉴定

机电部24所,90年科研成果鉴定会于12月26～29日在四川永川召开。国防科工委、机电部、军工司、微电子司、电科院以及省电子厅、重庆市科委等领导机关的领导或代表出席会议,参加鉴定会的代表还有来自全国各地的高校、厂、所的教授、专家、工程技术人员等,共48个单位160多名。     

机电部二十四研究所新产品简介

90年,机电部24所在国防科工委、机电部等上级领导关怀下,在深化改革方针指导下,一年内圆满完成了43项科研成果。24所在军用、专用、抗辐射加固集成电路产品和技术领域为国防军工作出了重大贡献,为集成电路园地又增添了一簇新花。