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本文采用溶胶－凝胶技术制备ＬａＦｅＯ３纳米晶薄膜，并摸索出该薄膜的光刻方法，将这一成膜技术与集成电路平面工艺相结构，首次研制出了纳米晶薄膜作为栅极的场效应晶体管气体传感器，它对乙醇具有较高的灵敏度和良好的选择性。 相似文献
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介绍了一种基于0.6 μm BiCMOS工艺的高阶曲率补偿、高电源抑制比的带隙基准源。利用三极管电流增益的温度特性来实现低温度系数,并且不需要额外的电路。采用一种新颖的电压预调整器来实现高电源抑制比。结果表明,该带隙基准源在-40 ℃~120 ℃内的温度系数为2.83×10-6/℃,在低频、100 kHz、1 MHz处的电源抑制比分别为-127 、-98、-67 dB。最低工作电压为1.8 V,在1.8~3 V电源电压范围内的线性调整率为4×10-5/V,功耗为57 μW。 相似文献
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针对当前国内设计的燃烧器安全性不高的缺点,本文设计了一种基于双MCU通信的改进型强制通风燃气燃烧控制器,以优化燃烧器的电控系统,增强燃烧器安全性。本设计以两片PIC16F886单片机作为主控芯片,通过串行共享EEPROM进行双机通信以增强安全性,并采用了其他保障系统安全稳定运行的设计,其中使用电容降压电路为整个程控器供电,通过倍压整流电路控制继电器的工作电源,多级三极管驱动继电器来控制外部设备,实现了燃烧器的点火、燃烧、熄火保护、诊断和报警等功能。本设计经过实际测试、验证,实现预期功能。 相似文献
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本文介绍一种抗闩锁能力很强的1-μmn 阱 CMOS 技术的设计、实现和性能测试。其重要特征包括薄外延衬底,用一兆离子注入实现的逆 n 阱,As-P 分层结及自对准二硅化钛(TiSi_2)工艺。通过测量器件的电流—电压(I-V)曲线,雪崩击穿电压,亚阈值特性,短沟道效应及薄层电阻详细评价了这种1-μm CMOS 技术。用一兆离子注入及自对准 TiSi_2工艺制造的器件,并不背离用相同技术制造的普通器件。由于 n 沟器件采用砷—磷(As-P)双扩散轻掺杂漏(LDD)结构,因此提高了器件的雪崩击穿电压,大大降低了热电子发射。TiSi_2工艺的采取可使源—漏及多晶硅栅的薄层电阻降到3Ω/□,而不用 TiSi_2其薄层电阻是150Ω/□。对于最佳化的 1-μm 沟道 N 阱 CMOS 器件,其转输延迟时间为150PS,功耗为0.3mW。由于采用了薄外延和逆 N 阱结构,大大改善了器件的抗闩锁能力。如果在源—漏区上形成 TiSi_2,并把片子背面衬底接地,就可使闩锁维持电压非常高(13 V)。文章认为,既使用重掺杂衬底上的薄外延层,也有必要在 n~+-P~+区上形成 TiSi_2,以保证器件具有良好的抗闩锁能力。并认为 TiSi_2引起发射效率的降低,是提高闩锁维持电压的主要原因。本文还给出了详细的实验结果和讨论。 相似文献
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CMOS折叠式模数转换器是一种可用在数字图像处理方面的高速模数转换器。本文描述了其折叠原理,详细分析了电路结构并提出了设计中要解决的问题,进而给出解决方法。 相似文献
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本文介绍了LC58274电路的用途、特点、基本功能、典型电路，分析了该电路版图设计特点、工艺特点及解决办法。 相似文献
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本文介绍了一种简单实用并具有记忆功能的外同步系统。该系统主要应用于电源管理中,并且能够提供三个功能:一是在未加同步信号时提供自身的内部振荡频率;二是当存在外同步信号时,系统利用数字技术能够对外部信号进行准确的同步频率输出;三是在同步过程中,系统将会记住这一外加信号频率值,并且在外部信号突然断开之后使电路继续工作在与原本所加的外同步信号几乎相等的频率值上。其中的误差为5%以下,并且这一误差是可以不断改进缩小的。系统能锁定的外同步频率范围为350KHZ到770KHZ。利用CSMS 0.6um CMOS工艺库对所设计的电路进行仿真,能够得到较好的预想效果。 相似文献
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介绍了一种BiCMOS工艺制作的高电源抑制比和高精确度的带隙基准电压源,其输出电压为1.2 V,在-40℃~80℃范围内有较好的温度特性,温度漂移系数为9.8×10-6℃-1。采用电压负反馈原理和减少耦合电容的方法,使电路具有高的电源抑制比,并且电路结构简单,匹配性好。采用Hspice工具对电路进行了仿真,验证了设计的正确性。该电路能广泛用于在电源环境恶劣的场合下工作的集成电路中。 相似文献
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一、引言双栅 MOSFET 具有相互独立的两个栅极,其突出优点是反馈电容比常规单栅 MOS-FET 的反馈电容低两个数量级,因而能在甚高频和超高频范围内稳定地工作。另外,通过改变第二栅的偏压可以容易地实现自动增益控制。因此双栅 MOSFET 芷电视接收机, 相似文献