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设计了一种宽电源电压的高精度带隙基准电路.在综合考虑精度、电源抑制比(PSRR)、宽电源电压要求和功耗等因素的基础上,采用了一种由基准电压偏置的,增益和电源抑制比大小相近的运算放大器解决方案.设计采用CSMC 0.5μm CMOS工艺,电源为3.3V. Cadence Spectre 仿真表明,当温度在 -40 ℃~125 ℃,电源电压在2.56V~8V时,输出基准电压平均值为1.290V,变化0.793mV,有效温度系数为3.72ppm/ ℃;室温下,在低频时具有-97dB的PSRR,在100kHz时为-69dB,功耗为180μW. 相似文献
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设计并讨论了一种新颖的完全基于CMOS静态逻辑反相器设计的数字控制振荡器DCO结构(Digitally-Controlled Oscillator),这种数字控制振荡器采用全数字电路构成,较之LC振荡器更加易于设计和制造,适合于高频高性能数字锁相环的应用。电路结构的仿真采用Spectre仿真器,基于STMicroelectronics CMOS 90nm工艺,在1.2V电源电压下实现了1GHz~6GHz的数控振荡频率变化范围,功耗为0.1mW~3mW,10MHz的频率偏移处的相位噪音约为-114dBc/Hz。 相似文献
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设计了一个应用于超宽带脉冲无线电(IR-UWB)通信系统的数控环形振荡器(DCRO).DCRO采用3调谐,包括电压粗调谐和开关变容管精调谐,逐级提高调谐精度.提出了一种新型延时单元,采用多环路结构,提高了环形振荡器的振荡频率,降低了功耗.设计采用CSMC 0.18μm互补金属氧化物半导体工艺,电源电压1.8V,使用SpectreRF仿真验证,数控环形振荡器的调谐范围为3~8.6GHz,调谐精度为2MHz,当工作频率在8.6GHz时,偏离主频10MHz处相位噪声为-112.4dBc/Hz,功耗为20mW. 相似文献
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