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无线电
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1982年
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1.
电子辐照消除CMOS电路自锁效应的探讨
黄惠玲
许寿祥
邱兴镛
张秀淼
苏九令
包宗明
《半导体学报》
1982,3(6):509-511
<正> CMOS电路中存在着pnpn寄生可控硅结构,见图1(a),它比实际可控硅的结构多两个分流电阻Rn和R_p,见图1(b)、(c).若寄生npn和pnp晶体管的电流增益分别为β_(npn)和β_(pnp),这时导通条件便由理想可控硅的β_(npn)·β_(pnp)=1变为β_(npn)·β_(pnp)=
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