GaAs衬底上等离子体增强原子层沉积GaN薄膜

采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术在斜切的砷化镓(GaAs)衬底上低温沉积了氮化镓(GaN)薄膜,对生长过程、表面机制以及界面特性等进行分析,得到GaN在215～270℃的温度窗口内生长速度(Growth-Per-Cycle, GPC)为0.082 nm/cycle,并从表面反应动力学和热力学方面对GPC的变化进行了分析。研究发现,生长的GaN薄膜为多晶,具有六方纤锌矿结构,且出现(103)结晶取向。在GaN/GaAs界面处观察到约1 nm厚的非晶层,这可能与生长前衬底表面活性位点的限制和前驱体的空间位阻效应有关。值得注意的是,在沉积的GaN薄膜中,所有的N皆与Ga以Ga-N键结合生成GaN,但是存在少部分Ga形成了Ga-O键和Ga-Ga键。这种成键方式,可能与GaN薄膜中存在的缺陷和杂质有关。     

钩端螺旋体外膜蛋白基因重组载体构建及在卡介菌中的表达

目的　研制一种高效广谱的新型钩体疫苗。方法　用PCR方法扩增致病性钩端螺旋体赖型 0 17株外膜蛋白OmpL1基因 ,将其克隆入大肠杆菌—分枝杆菌穿梭质粒载体pMV2 6 1和pMV36 1中。结果　筛选到两个重组载体pBQ1和pBQ2 ,通过电穿孔导入卡介菌 ,重组体经诱导表达了相对分子质量约为 35 0 0 0的融合蛋白。结论　卡介菌能有效表达钩体抗原蛋白