ADS模式低存储电容像素设计

高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,简称ADS)是以宽视角技术为代表的核心技术统称,其显示模式过大的存储电容(C_(st))成为限制Dual Gate GOA 4K TV应用的主要因素。在较短的充电时间内,像素为了维持相同的充电率,需要降低C_(st)。本文采用一种双条形电极ADS结构(Dual Slit ADS),其中像素电极与公共电极交叠区域形成ADS结构,像素电极与公共电极间隔区域形成共面转换(IPS)结构,通过减少像素电极与公共电极的交叠面积,起到降低ADS模式C_(st)的目的。模拟结果表明:当ADS显示模式采用Dual Slit ADS设计时,像素的C_(st)可以下降30%~40%。实验结果表明:采用Low Cst Pixel ADS设计时,VGH Margin可以增大2.5 V,但受到像素电极和公共电极的对位影响,透过率下降5%。     

关于IIC通讯在记忆电路中的竞争冒险问题分析改进

在进行家电产品的硬件电路测试时发现多起记忆电路上电波形异常的问题,本文通过对IIC通讯的概述、竞争冒险现象的简介以及记忆电路上电时序的详细分析,为家电产品开发的设计人员提供可借鉴的改善建议,提早进行设计规避。     

风机振动故障诊断及应用

针对承钢二高线风冷风机因剧烈振动导致的故障停机情况,采用现场检测风机波形及频谱的方法,对风机进行了状态检测和故障诊断,在排除了轴承、联轴器同轴度问题等因素后,认为故障原因为风机主要由于失衡及机械松动导致振动幅值高。     

集成化光上下路复用器的研究进展

密集波分复用(DWDM)已经成为光纤通信的主要发展方向,光上下路分插复用器(OADM)作为WDM网络中的关键技术,它的优劣将直接影响通信网络的性能.侧重于从器件的角度对OADM的功能和发展现状进行介绍,并对其构成的关键器件的发展进行了概述.     

在解复用模块设计中有效折射率变化的研究

研究了基于SOI(silicon—on—insulator)材料的阵列波导光栅(AWG)分波器件，给出了此器件材料色散的数值拟合公式，进而利用BPM方法研究了材料色散脊型波导结构变化和器件制做中刻蚀深度误差对波导有效折射率和波分复用模块性能的影响。结果表明，刻蚀深度误差对模块性能优劣起关键作用。     

液晶阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究

光刻胶的灰化是TFT四次光刻工艺的核心工艺之一,本文研究了TFT四次光刻工艺中光刻胶的灰化工艺,得到了功率、气压、灰化气体对光刻胶灰化速率和均匀度的影响趋势。研究表明,纯O2气体对光刻胶有很好的灰化作用,但其会导致下一层金属Mo的表面发生氧化,从而阻止下层金属的刻蚀。在灰化气体中加入少量SF6,能有效地去除生成的金属氧化物,提高下层金属的刻蚀速率。在优化的灰化工艺条件下,制作的TFT具有良好的电学特性。     

SOI阵列波导光栅的设计与制作

本文讲述了基于SOI材料的5×5阵列波导光栅(AWG)的设计与器件的制作.设计结果显示,通过选择合适的波导结构可以有效地减小器件的偏振特性;采用合适的弯曲半径,不但可以减小器件的损耗,而且可以降低器件的串扰.器件的测试结果表明,器件的中心波长、通道间隔与设计值基本相符;器件的相邻信导串扰接近10dB.器件初步达到分波的功能.     

液晶阵列工艺中金属钼的干法刻蚀研究

为了简化液晶面板制造工序,本文初步研究了在1.1 m×1.3 m的玻璃基板上,采用Cl2/O2气体对薄膜晶体管中沟道处的金属钼进行反应离子刻蚀。经过一组正交实验,分析了功率、气压、气体比例等参数对刻蚀速率、均匀度和选择比的影响关系,并给出了刻蚀后的扫描电镜(SEM)图和不同功率参数下薄膜电学特性曲线图。结果表明,本试验中气压是影响幅度最大的因素;另外,较高的功率会使钼对下层选择比严重变差。     

新型等离子体源及其应用

为适应半导体技术的快速发展,需要寻求一些新的等离子体源。介绍了两种比较新颖的等离子体源———表面波等离子体(SWP,surface wave plasma)和磁中性环路放电等离子体(NLD,mag-netic neutral loop discharge)。前者的设备没有磁场,且结构简单,工作温度低,易于大面积化;而后者的设备可以通过改变其中性环路直径方便地产生各种形状的等离子体,可用于高深宽比刻蚀,也可用于大面积刻蚀。与传统等离子体源相比,它们具有明显的优势,有望成为下一代等离子体源。     

关于电子镇流器影响遥控接收问题分析研究

文章主要通过对电子镇流器EMC相关方面的测试,分析影响遥控接收问题的原因。并通过我们现有的EMC设备尽量模拟出电子镇流器的干扰信号,为以后在此类问题提供一个实验方法,提高产品抗干扰能力。