粗化玻璃基板对OLED的影响

研究了粗化玻璃对有机电致发光器件的影响,分别在玻璃基板的平滑面及粗糙面上制作有机电致发光器件。所制备的器件结构为Al(15nm)/MoO3(60nm)/NPB(40nm)/Alq3∶C545T(2%,30nm)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。从电流密度-电压-亮度性能及光谱特性等方面对两种器件进行了对比分析。实验结果显示:当蒸镀面为平面时,电流密度及亮度均比粗面型高,其最高亮度达到24 410cd/m2。不同蒸镀面器件的相对光谱几乎没有变化,但粗面型器件存在黑斑,对其产生的原因进行了探讨。     

结温对高显指低色温白光LED光谱特性的影响

将MEH-PPV混合入YAG荧光粉中,并利用实验室自主研发的一种集成封装LED散热支架替代传统支架,该支架可利用热电偶直接测量出结温。研究了结温对混合MEH-PPV的白光LED光谱特性的影响。实验表明,随着结温的不断升高,蓝光光谱峰值随着结温的升高而不断下降,发生红移;荧光粉的吸收增强,黄光波段和红光波段的光谱峰值先增后减,并且红光波段的光谱发生蓝移;器件的显色指数从90.3下降至78.6,色温从3265K先快速升高至3672K,随后又缓慢下降至3612K,而光通量和发光效率则表现为先上升后下降,且它们的下降趋势基本吻合。     

GaN基LED电流加速失效机理分析

自行封装了一体化大功率白光GaN基发光二极管(LED),将LED芯片直接封装到铝板上。在室温1A下进行电流加速老化实验,通过对老化前后不同时间段器件的电学、光通量和光谱特性进行测量来分析器件的失效机理,主要分析器件的芯片和荧光粉的失效机理。器件老化前后的电学特性表明,老化过程中,器件的串联电阻和低正向偏压下的热电子发射电流增大;光通量曲线表明,LED所加驱动电压低时,多数载流子的迁移率低,复合效率高,所以在低电流测试下LED的衰减慢;光谱曲线和色温曲线表明,在老化初始阶段,荧光粉的退化很快,一段时间后蓝光芯片衰减占主导。     

一体化封装LED结温测量与发光特性研究

基于一体化封装基板,制备了大功率白光LED。以低热阻的一体化封装基板为基础,设计了结温测量系统。利用光谱仪测得不同结温下LED的光电参数,并对其机理进行了分析。在工作电流为0.34A,所研究温度范围为10.8～114.9℃。实验结果表明,一体化封装的LED结温与正向电压、光通量、光效和色温有着良好的线性关系;结温的变化对主波长及色坐标影响甚微;结温的上升导致蓝光段强度下降且光谱发生红移,黄光段强度上升且光谱发生宽化,峰值波长由450nm转为550nm。     

一体化封装的LED仿真

以自主研发的一体化封装LED为模型,使用光学模拟软件TracePro对该模型的配光进行仿真。为了优化该模型的光强分布及出光率,对比分析了不同反光杯张角及透镜形状对LED配光性能的影响。仿真结果表明:反光杯张角及透镜形状对LED的光强分布及出光率均有较强影响。45°反光杯张角有着较好的光强分布。添加透镜可以提高出光率,扁平透镜可以达到较高的出光率。45°反光杯张角加半球形透镜在光强分布与出光率上取得均衡。