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驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:1,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
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最新液晶显示技术追踪 总被引:5,自引:0,他引:5
本文介绍近年来在显示性能的提高、ρ-Si TFT-LCD的开发、反射式彩色液晶显示和塑料基板LCD等方面的研究开发工作的进展情况和发展趋势。 相似文献
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平行排列液晶盒在不对称弱锚定边界条件下的Freedericksz转变 总被引:5,自引:3,他引:2
应用液晶弹性形变的连续体理论,分析了平行取向的液晶层在不对称弱锚定边界条件下的Freedericksz转变,给出了确定指向矢分布的方程,以及阈值电压与两侧基板表面锚定强度的关系,对称弱锚定和对称强锚定情形的阈值电压可以作为特例给出。在不对称弱锚定边界条件下,指向矢分布不再关于液晶层中心对称,在液晶层中指向矢极大倾角的位置随锚定强度和外加电压所改变。 相似文献
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通过测量扭曲液晶盒中液晶分子的指向矢与摩擦方向的偏角,用作者自行建立的方位表面锚定能的测量方法测定了向列液晶(5CB)—摩擦的聚酰亚胺界面的锚定能及其温度依赖性,并分析了其临界性质。液晶的表面锚定能随温度的增加而减小;外推长度d_e随温度的增加而增加,其与温度之间的关系为d_e=34.5[(T_c—T/T_c]~(-0.45);在低于T_c0.5℃时d_e达到400nm,液晶的表面锚定能变为50.×10~(-6)Jm~(-2)。热力学理论的分析结果表明,向列液晶的表面锚定能的临界性质体现了液晶—聚酰亚胺界面的复杂性质,为研究界面的微观性质提供了有益的信息。 相似文献
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a-Si:H TFT亚阈值区SPICE模型的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受栅源电压Vcs和漏源电压V DS的影响,呈指数变化。提出的新模型考虑了前界面态、后界面态、局域态、材料及制作工艺等因素,体现了该区域电流对漏源电压Vvs强烈的依赖关系。使用新模型对实验数据的拟合结果优于以往的模型,能够比较精确地模拟亚阈值区的特性,可用来预测a-Si:H TFT的性能.对TFT阵列的模拟设计具有重要价值。 相似文献