电化学技术在Ⅲ—V族半导体材料特性测量中的应用

为了配合我所Ⅲ—V族半导体材料的研究,我们用电化学技术测定了GaAs和InP以及有关化合物材料的特性,其中有些特性用其他方法是无法或难以测得的。本文报导最近2～3年来我们在这方面所取得的一些结果。 C-V特性是研究电极/电解液界面特性     

新型消毒剂--二氧化氯在发酵行业的应用

目前我们常用的消毒剂有漂白粉、次氯酸钠、三氯异氰尿酸等含氯制剂和甲醛、戊二醛、新洁尔灭、过氧乙酸等消毒剂。这些消毒剂使用后会产生三卤甲烷、氯胺、氯酚等有机卤毒物，对人体及环境污染危害很大。对此，一种新型消毒剂稳定性二氧化氯的开发，避免了人类氯制剂的危害和环境的影响，对人类健康事业带来了福祉。     

GaInAsP双异质结材料的特性测量

InP及其三元,四元化合物材料,在微波器件和光电器件中的应用日益广泛,但是,目前尚缺乏一个简便的方法同时测量生长材料的载流子浓度,外延层厚度和P—N结位置等参数。电化学C—V法是70年代发展起来的一种新方法,它利用适当的电解液作为可控阳板溶解的介质,同时与半导体形成Mott-Schottky接触,达到连续浓度分布测定。该法在测量GaAs材料特性方面已有较大的进展,最近Ambridge报导了n—InP材料的浓度与分布测量结果。但对于多层异质结材料的载流子浓度分布尚未见报导。本文以GaInAsP/InP双异质结液外材料     

光电化学法测量GaAlAs/GaAs多层结构材料中Al组分分布

本文详细报道了用光电化学法测量Al含量的装置、原理以及原位测量GaAlAs层中Al含量的纵向分布结果,并与双晶衍射、俄歇分析和光吸收法结果作了比较,结合电化学c—V技术获得了GaAlAs/GaAs多层结构材料的完整纵向分布,包括各层厚度、导电类型、载流子浓度、禁带宽度以及组分分布.为研究激光器、太阳电池等器件提供了一种综合性的材料测试方法.     

半绝缘InP注硅的无包封退火

掺Fe半绝缘 InP材料室温下注入Si~+,在 650℃无包封退火15 min,辐射损伤已可消除;但是Si的充分电激活则需要较高的退火温度.无包封下即使在 750℃退火 30 min,样品表面貌相也未被破坏.用能量E=150keV注入Si~+、剂量φ为1× 10~(13)、5 × 10~(13)和1×10~(14)cm~(-2)的样品.在750℃无包封退火15min,最高载流子浓度n_s分别是8×10~(13)、3.9×10~(13)和 6.3 ×10~(13)cm~(-2),其中φ为 1×10~(13)cm~(-2)的样品,霍耳迁移率μ_n为 2100 cm~2/V·scc.     

电化学法测定Si多层结构材料浓度分布

本文报道在研究Si/EL电极过程基础上,将电化学C-V技术用于测定适合VLSI用的双极型晶体管多层结构材料的载流子浓度剖面分布.     

电化学C-V法测量亚微米GaAs外延层的参数

本文叙述了电化学C-V法测量SI-GaAs和n~+-GaAs衬底上的单层和双层外延层中的载流子浓度分布及其厚度。测量和讨论了亚微米有源层、单层和多层结构中的界面过渡区的特性。     

电化学氧化法处理城市垃圾渗滤液探讨

垃圾渗滤液是一种处理难度较大、溶质浓度较高的有机废水。该类废水的水质、水量变化较大,其成分十分复杂,而且会随着掩埋时间的增加而变化。目前,我国对垃圾渗滤液处理的方法并不成熟,且处理效果也较差,而电化学氧化法是一种新型的、有效处理垃圾渗滤液的技术。基于此,本文对该技术的处理效果进行了探讨,并分析了处理垃圾渗滤液的理想参数,以期为相关行业与从业人员提供借鉴。     

垃圾渗滤液处理技术研究进展

随着经济的快速增长以及工业化、城市化进程的加快,使固体废弃物的产量不断增加,而卫生垃圾填埋场是处理固体废物最常用的一种方法.但其存在的主要缺点是,雨水或地下水会渗入垃圾填埋场,从而产生垃圾渗滤液.垃圾渗滤液不仅会严重污染环境且难以处理,而传统的处理过程已无法去除渗滤液中所含的一些污染物,这些污染物最终会影响自然环境、生...     

电化学C-V法测量半导体材料载流子浓度分布

本文讨论了影响电化学C-V法测量半导体载流子浓度分布的因素,其中包括接触面积、半导体种类、电解液种类和界面分辨率等.已经证明用直接补偿法可以有效地校正寄生面积对浓度分布测量的影响.在研究半导体和溶液种类的影响时,发现在同一种溶液中,各种GaAs的C-V特性均能符合Mott-Schattky方程式.在上述结果的基础上,我们将电化学C-V法成功地应用于测定P-N,高-低-高结构,GaInAsP发光材料和离子注入样品的载流子浓度分布,得到了满意的结果.