氟金云母衬底上C_(60)薄膜的光学性质

用热壁外延法在氟金云母衬底上生长出了高质量 C6 0 薄膜 ,用原子力显微镜观察了样品的表面形貌 .测量并分析了不同厚度 C6 0 薄膜的紫外 -可见吸收光谱 .由测量的透射及反射光谱 ,经计算得到了吸收系数与入射光子能量的关系 .利用结晶半导体的带间跃迁理论 ,对禁戒的带间直接跃迁 hu→ t1 u和电偶极允许的带间直接跃迁 hu→ t1 g的带隙分别进行了计算     

C60/氟金云母复合膜光吸收谱研究

用热壁外延法在氟金云母上生长出了高质量C60薄膜,用原子力显微镜观察了样品的表面形貌,并测量了不同厚度C60薄膜的紫外-可见吸收光谱.由近带隙区的透射及反射光谱,经计算得到了吸收系数与入射光子能量的关系,并利用Tauc公式确定了C60薄膜的光学带隙.     

C60-PMMA复合膜的纳米结构研究

采用化学有机沉积法，在Si(100)、KBr压片及微栅衬底上分别制备了C60／PMMA重量比不同的C60－PMMA复合膜、红外光谱分析表明，C60分子已均匀地分布在C60－PMMA复合膜中，利用X射线衍射（XRD）谱和透射电子显微镜（TEM）研究了该复合膜的结构，结果显示原来均匀分布在PMMA中的C60分子经过扩散趋向于形成非晶或晶化的C60颗粒，经过退火，以面心立方结构单晶形式存在的C60颗粒的尺寸为30－100nm，且以规则的几何形体分散在PMMA连续相中，玻耳兹曼能量分布规律能够较好地解释，提高C60含量或退火温度，晶化C60颗粒尺寸增大的现象。     

溅射气压和沉积时间对c-BN薄膜结构的影响

采用磁控反应溅射方法，在Si(100）衬底上沉积c-BN薄膜，研究了溅射气压和沉积时间对薄膜结构的影响。结果表明，随溅射气压的升高或沉积时间的增加，都是削弱荷能粒子对衬底表面的轰击效果，并导致薄膜中c-BN相含量的减小。     

B-C-N系超硬材料的研究进展

超硬材料的合成是目前材料科学研究领域的热门课题之一,近年来,由于碳基和硼基超硬材料的理论设计和发现,引起了人们在实验３和理论上对硬度与金刚石接近,基至超过金刚石的材料研究兴趣。在Ｂ－Ｃ－Ｎ系超硬材料中,除了金刚石和立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）以外,α－ＣａＮ４,立方氮碳化硼以及富勒烯等材料,也正日益受到国际材料界的重视,本文就Ｂ－Ｃ－Ｎ系超硬材料的最新研究进展做一综述。     

SiC薄膜生长过程中的偏压作用

采用分步偏压溅射法,在Si(100)衬底上制备了高质量的SiC薄膜. 傅里叶红外(FTIR)光谱测试表明,分步偏压法不仅有利于提高SiC薄膜的生长速率,同时也有利于SiC薄膜的成核生长. 通过原子力显微镜(AFM)观察到,单一偏压法制备的样品表面有许多的凹坑,而分步偏压法制备的样品表面则没有出现明显的凹坑. 因此,采用分步偏压溅射法不仅可以提高薄膜的生长速率,同时也可以减小对薄膜的离子刻蚀作用,改善薄膜的质量.     

氟金云母衬底上C60薄膜的光学性质

用热壁外延法在氟金云母衬底上生长出了高质量C60薄膜,用原子力显微镜观察了样品的表面形貌．测量并分析了不同厚度C60薄膜的紫外-可见吸收光谱．由测量的透射及反射光谱,经计算得到了吸收系数与入射光子能量的关系．利用结晶半导体的带间跃迁理论,对禁戒的带间直接跃迁hu→t1u和电偶极允许的带间直接跃迁hu→t1g的带隙分别进行了计算．     

C60-PMMA复合膜的纳米结构研究

采用化学有机沉积法,在Ｓｉ（１００）、ＫＢｒ压片及微栅衬底上分别制备了 Ｃ_６０／ＰＭＭＡ重量比不同的Ｃ_６０－ＰＭＭＡ复合膜．红外光谱分析表明,Ｃ_６０分子已均匀地分布在Ｃ_６０－ＰＭＭＡ复合膜中．利用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）谱和透射电子显微镜（ＴＥＭ）研究了该复合膜的结构,结果显示原来均匀分布在ＰＭＭＡ中的Ｃ_６０分子经过扩散趋向于形成非晶或晶化的Ｃ_６０颗粒．经过退火,以面心立方结构单晶形式存在的Ｃ_６０颗粒的尺寸为３０～１００ｎｍ,且以规则的几何形体分散在ＰＭＭＡ连续相中．玻耳兹曼能量分布规律能够较好地解释,提高Ｃ_６０含量或退火温度,晶化Ｃ_６０颗粒尺寸增大的现象．