半导体界面分析新技术

介绍了可以在微观级对半导体界面的电学性质进行评价的两种新技术及其应用。分析了弹道电子辐射显微镜分析技术和显微光应答法技术的特点及实用性，并指出了它们所存在的局限性。     

集成电路测试处理机

最近,集成电路的微细加工技术,已经能够形成1μ的图形,集成度从LSI推进到VLSI。从而64KDRAM、256KDRAM等集成度大的器件的大量生产如今已成为现实。集成度有以2倍/年的比例增加的倾向。可以预测,高集成化将会更加向前迈进。随着集成度的增加,器件高速化;随着位数和门数的增加,呈现出了多引线化的倾向。     

采用平面电阻炉单面加热制备Si_3N_4的CVD工艺

本文提出采用平面电阻炉单面加热,以N_2携带SiH_4和NH_3作为反应气体,用CVD法淀积氮化硅薄膜的工艺。分析了Si_3N_4淀积过程中存在的气相反应。讨论了气体流动形式、流量和反应管横截面形状对淀积膜均匀性的影响。平面电炉的加热方式允许采用横截面极扁的石英反应管,为淀积均匀的Si_3N_4膜提供了较佳的设备条件,理论分析和实际结果都证实了这一优点。平面电阻炉的加热方式还具有设备简单,温度的测量准确、控制可靠,无高频污染等优点。这种设备原则上可推广用于其它的CVD工艺。     

单多晶硅的选择性生长

引言 随着半导体集成电路的发展及对多晶硅研究的深入,在硅衬底上选择性生长单多晶硅的工艺日趋成熟,其应用也已越出了隔离技术而深入其它领域。硅衬底上单多晶硅的选择性生长是指在硅衬底的指定区域生产单晶硅,而在其余区域则生长多晶硅。通常以SiH_4或SiCl_4作源,采用常压CVD或低压CVD技术进行。一九八○年上半年,我们曾将我所602组采用SiH_4制作的单多晶硅选择性生长片成功地应用于集成注入逻辑新结构的研制,有关这一工